En esta presentación, se analizaron las propiedades únicas e intrínsecas al carburo de silicio (SiC) y cómo influyen en los sistemas de alimentación. Además, se explicó por qué el transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de SiC tiene menos resistencia de drenaje a fuente (Rdson) que el MOSFET de silicio (Si) y, por otro lado, se listaron las ventajas del MOSFET de SiC en comparación con el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de Si.  Se presentó un ejemplo de aplicación de corrección del factor de potencia (PFC) de tótem de 6.6 kW basado en un MOSFET de SiC para cargador integrado de EV (TIDA-01604) que utiliza controladores UCC21520-Q1. Luego se analizaron en detalle los requisitos del controlador de compuerta para el MOSFET de SiC y se muestra un ejemplo de diseño (TIDA-01605) con el UCC21521.