En esta sesión, analizaremos cómo los dispositivos de nitruro de galio (GaN) facilitan la implementación de la corrección del factor de potencia de tótem (TP-PFC) y las ventajas que tiene la TP-PFC basada en GaN frente a las soluciones de corrección del factor de potencia (PFC) clásicas. Destacaremos un diseño de corrección del factor de potencia (PFC) de tótem que utiliza transistores de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de TI. Con este diseño se alcanza un alto nivel de integración, robustez, fiabilidad y un alto nivel de eficiencia.