실리콘 카바이드를 사용하는 높은 전력 밀도를 위한 EV 온보드 충전기를 위한 견고한 게이트 드라이버 솔루션
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2025 년 01 월 29 일
이 프레젠테이션에서는 실리콘 카바이드(SiC)의 고유한 고유 재료 특성과 전원 시스템에 어떤 영향을 미치는지 알아보고 SiC MOSFET이 Si MOSFET보다 Rdson이 낮은 이유와 Si IGBT와 비교했을 때 SiC MOSFET의 장점을 설명했습니다. UCC21520-Q1 드라이버를 사용하는 EV 온보드 충전기(TIDA-01604)용 SiC MOSFET 기반 6.6kW 토템 폴 PFC 애플리케이션 예가 제시되었습니다. 그런 다음 SiC MOSFET에 대한 게이트 드라이버 요구 사항에 대해 자세히 논의하고 UCC21521을 사용하는 설계 예(TIDA-01605)를 제공합니다.