최근 몇 년 동안, 높은 역률(PF)과 낮은 입력 전류 총 고조파 왜곡(THD)을 유지하면서 범용 입력 역률 보정(PFC) 컨버터의 전력 변환 효율과 전력 밀도를 높이는 데 중점을 두고 있습니다. 따라서 CCM(연속 전도 모드) 또는 전환 모드(TRM)에서 작동하는 동안 제로 전압 스위칭을 지원하는 향상된 브리지리스 고주파 PFC 토폴로지가 필요합니다. 또한 광범위한 밴드갭 GaN 장치가 등장하여 이러한 요구 사항을 구현할 수 있습니다. 최신 DPWM 모듈과 통합 아날로그 주변 장치를 갖춘 TI C2000 MCU는 이러한 전력 컨버터의 효율적인 디지털 제어를 구현할 수 있는 고유한 포지셔닝입니다. 이 프레젠테이션에서는 C2000 MCU를 사용하는 두 개의 브리지리스 PFC 설계를 소개합니다. TI 고전압 GaN은 3.3kW 인터리브 CCM 토템 폴 PFC 및 1.6kW 인터리브 TRM 토템 폴 PFC 설계를 구현하는 데 사용됩니다. 스위칭 손실, 전류 크로스오버 왜곡, 입력 전류 THD를 최소화하고 효율성 및 PF를 개선하기 위한 자세한 설계 고려 사항이 제공됩니다.