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SN65LVDS1

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630Mbps 单路 LVDS 驱动器

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Function Driver Protocols LVDS Number of transmitters 1 Number of receivers 0 Supply voltage (V) 3.3 Signaling rate (MBits) 630 Input signal LVTTL Output signal LVDS Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Function Driver Protocols LVDS Number of transmitters 1 Number of receivers 0 Supply voltage (V) 3.3 Signaling rate (MBits) 630 Input signal LVTTL Output signal LVDS Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 符合或超出 ANSI TIA/EIA-644 标准
  • 专为信号传输速率而设计(1)：
    • 高达 630Mbps（驱动器）
    • 高达 400Mbps（接收器）
  • 由 2.4V 至 3.6V 电源供电
  • 采用 SOT-23 和 SOIC 封装
  • 总线终端 ESD 保护等级超过 9kV
  • 低电压差分信号，可向一个 100Ω 负载提供 350mV 的典型输出电压
  • 传播延迟时间
    • 典型值为 1.7ns（驱动器）
    • 典型值为 2.5ns（接收器）
  • 200MHz 频率下的功耗
    • 典型值为 25mW（驱动器）
    • 典型值为 60mW（接收器）
  • LVDT 接收器包含线路端接
  • 低压 TTL (LVTTL) 电平驱动器输入可耐受 5V 电压
  • 驱动器为输出高阻抗且 VCC < 1.5V
  • 接收器输出和输入都为高阻抗且 VCC < 1.5V
  • 接收器开路失效防护
  • 差分输入电压阈值小于 100mV

(1)线路的信号传输速率是每秒进行电压转换的次数，以单位 bps（每秒位数）来表示
  • 符合或超出 ANSI TIA/EIA-644 标准
  • 专为信号传输速率而设计(1)：
    • 高达 630Mbps（驱动器）
    • 高达 400Mbps（接收器）
  • 由 2.4V 至 3.6V 电源供电
  • 采用 SOT-23 和 SOIC 封装
  • 总线终端 ESD 保护等级超过 9kV
  • 低电压差分信号，可向一个 100Ω 负载提供 350mV 的典型输出电压
  • 传播延迟时间
    • 典型值为 1.7ns（驱动器）
    • 典型值为 2.5ns（接收器）
  • 200MHz 频率下的功耗
    • 典型值为 25mW（驱动器）
    • 典型值为 60mW（接收器）
  • LVDT 接收器包含线路端接
  • 低压 TTL (LVTTL) 电平驱动器输入可耐受 5V 电压
  • 驱动器为输出高阻抗且 VCC < 1.5V
  • 接收器输出和输入都为高阻抗且 VCC < 1.5V
  • 接收器开路失效防护
  • 差分输入电压阈值小于 100mV

(1)线路的信号传输速率是每秒进行电压转换的次数，以单位 bps（每秒位数）来表示

SN65LVDS1、SN65LVDS2 和 SN65LVDT2 器件均为采用小外形晶体管封装的单通道、低电压、差分线路驱动器和接收器。它们的输出符合 TIA/EIA-644 标准，并且在信号传输速率高达 630Mbps（对于驱动器）和 400Mbps（对于接收器）的条件下为 100Ω 负载提供 247mV 的最小差分输出电压幅度。

当在点对点连接中将 SN65LVDS1 器件与 LVDS 接收器（例如 SN65LVDT2）配合使用时，数据或时钟信号能够以极高的速率通过印刷电路板布线或电缆传输，同时具有极低的电磁辐射和功耗。由于其封装、低功耗、低 EMI、高 ESD 容差和宽电源电压范围等特性，因此该器件非常适合电池供电型应用。

SN65LVDS1、SN65LVDS2 和 SN65LVDT2 器件的额定工作温度范围是 –40°C 至 85°C。

SN65LVDS1、SN65LVDS2 和 SN65LVDT2 器件均为采用小外形晶体管封装的单通道、低电压、差分线路驱动器和接收器。它们的输出符合 TIA/EIA-644 标准，并且在信号传输速率高达 630Mbps（对于驱动器）和 400Mbps（对于接收器）的条件下为 100Ω 负载提供 247mV 的最小差分输出电压幅度。

当在点对点连接中将 SN65LVDS1 器件与 LVDS 接收器（例如 SN65LVDT2）配合使用时，数据或时钟信号能够以极高的速率通过印刷电路板布线或电缆传输，同时具有极低的电磁辐射和功耗。由于其封装、低功耗、低 EMI、高 ESD 容差和宽电源电压范围等特性，因此该器件非常适合电池供电型应用。

SN65LVDS1、SN65LVDS2 和 SN65LVDT2 器件的额定工作温度范围是 –40°C 至 85°C。
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* 数据表 SN65LVDxx 高速差分线路驱动器和接收器 数据表 (Rev. M) PDF | HTML 英语版 (Rev.M) PDF | HTML 2024年 3月 1日
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应用手册 An Overview of LVDS Technology 1998年 10月 5日

设计和开发

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SN65LVDS1 IBIS Model

SLLC020.ZIP (3 KB) - IBIS Model
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如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表，请参阅：SpiceRack - 完整列表 

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  • 鉴定摘要
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