Detalles del producto

Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.9 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) 1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.9 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) 1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (DSG) 8 4 mm² 2 x 2
  • Ultra-low noise:
    • Voltage noise:
      • 0.9 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 5 mA
      • 1.1 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 2 mA
    • Current noise: 1.6 fA/√ Hz at 1 kHz
  • Low V GS mismatch: 4 mV (max)
  • Low gate current: 10 pA (max)
  • Low input capacitance: 13 pF at V DS = 5 V

  • High gate-to-drain and gate-to-source breakdown voltage: –40 V

  • High transconductance: 30 mS

  • Packages: SOIC, 2-mm × 2-mm WSON

  • Ultra-low noise:
    • Voltage noise:
      • 0.9 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 5 mA
      • 1.1 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 2 mA
    • Current noise: 1.6 fA/√ Hz at 1 kHz
  • Low V GS mismatch: 4 mV (max)
  • Low gate current: 10 pA (max)
  • Low input capacitance: 13 pF at V DS = 5 V

  • High gate-to-drain and gate-to-source breakdown voltage: –40 V

  • High transconductance: 30 mS

  • Packages: SOIC, 2-mm × 2-mm WSON

The JFE2140 is a Burr-Brown™ Audio, matched-pair discrete JFET built using Texas Instruments’ modern, high-performance, analog bipolar process. The JFE2140 features performance not previously available in older discrete JFET technologies. The JFE2140 offers excellent noise performance across all current ranges, where the quiescent current can be set by the user from 50 µA to 20 mA. When biased at 5 mA, the device yields 0.9 nV/√ Hz of input-referred noise, giving ultra-low noise performance with extremely high input impedance (> 1 TΩ). In addition, the matching between JFETs is tested to ±4 mV, providing low offset and high CMRR performance for differential pair configurations. The JFE2140 also features integrated diodes connected to separate clamp nodes to provide protection without the addition of high leakage, nonlinear external diodes.

The JFE2140 can withstand a high drain-to-source voltage of 40‑V, as well as gate-to-source and gate-to-drain voltages down to –40 V. The temperature range is specified from –40°C to +125°C.

The JFE2140 is a Burr-Brown™ Audio, matched-pair discrete JFET built using Texas Instruments’ modern, high-performance, analog bipolar process. The JFE2140 features performance not previously available in older discrete JFET technologies. The JFE2140 offers excellent noise performance across all current ranges, where the quiescent current can be set by the user from 50 µA to 20 mA. When biased at 5 mA, the device yields 0.9 nV/√ Hz of input-referred noise, giving ultra-low noise performance with extremely high input impedance (> 1 TΩ). In addition, the matching between JFETs is tested to ±4 mV, providing low offset and high CMRR performance for differential pair configurations. The JFE2140 also features integrated diodes connected to separate clamp nodes to provide protection without the addition of high leakage, nonlinear external diodes.

The JFE2140 can withstand a high drain-to-source voltage of 40‑V, as well as gate-to-source and gate-to-drain voltages down to –40 V. The temperature range is specified from –40°C to +125°C.

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Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
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Tipo Título Fecha
* Data sheet JFE2140 Ultra-Low Noise, Matched, Dual, Low-Gate Current, Discrete, Audio, N‑Channel JFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 31 ago 2023
Application brief Ultra-Low-Noise JFET Preamplifier Design for High Impedance Sensors PDF | HTML 16 may 2024
Application note JFE2140 Ultra-Low-Noise Pre-Amplifier PDF | HTML 02 mar 2023
User guide JFE2140 Evaluation Module Users Guide PDF | HTML 20 sep 2022
Certificate JFE2140EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 07 sep 2022

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

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Modelo de simulación

JFEx140 TINA-TI Reference Design

SLPM356.TSC (137 KB) - TINA-TI Reference Design
Modelo de simulación

JFEx140 PSpice Model

SLPM355.ZIP (53 KB) - PSpice Model
Modelo de simulación

JFEx140 TINA-TI Spice Model

SLPM357.ZIP (2 KB) - TINA-TI Spice Model
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (DSG) 8 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

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