LMG3411EVM-029 LMG3411R070 600-V 70-mΩ GaN with cycle-by-cycle overcurrent protection half-bridge daughter card angled board image

LMG3411EVM-029

사이클 단위 과전류 보호 하프 브리지 도터 카드가 포함된 LMG3411R070 600V 70mΩ GaN

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LMG3411EVM-029의 주요 특징

  • 입력 전압은 최대 600V까지 작동
  • LMG3411R070의 성능 평가를 위한 단순한 개방형 루프 설계
  • 50ns의 데드 타임이 있는 PWM 신호용 싱글 PWM 입력 보드
  • 사이클별 과전류 보호 기능
  • 로직 단계 및 전력 단계를 측정할 수 있는 편리한 프로브 포인트, 접지 스프링 프로브가 짧은 오실로스코프 프로브 사용

LMG3411EVM-029에 대한 설명

LMG3411EVM-029는 사이클 단위 과전류 보호 기능 및 필요한 모든 보조 주변기기 회로를 포함하는 하프 브리지에 2개의 LMG3411R070 GaN FET를 구성합니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.

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