TPS51200EVM TPS51200 Sink Source DDR Termination Regulator angled board image

TPS51200EVM

TPS51200 싱크 소스 DDR 터미네이션 레귤레이터

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TPS51200EVM의 주요 특징

  • 입력 전압: 2.5V 레일 및 3.3V 레일 지원
  • VLDOIN, VDDQ 전압 범위: 1.2V~2.5V
  • 동적 성능을 평가하는 데 도움이 되는 싱크/소스 과도 동작을 에뮬레이션하는 내장 과도 부하 스위치(싱킹 및 소싱 기능 모두 포함). 사용 편의성을 위해 온보드 저항을 통해 부하 스텝과 과도 타이밍을 모두 수정할 수 있으며, 보드에서 전류 정보를 모니터링할 수도 있습니다.
    • DDR: +/-1.67A 싱크/소스 과도 부하
    • DDR2: +/-1.2 A 싱크/소스 과도 부하
    • DDR3: +/-1.0 A 싱크/소스 과도 부하
    • LP DDR3: +/-0.8 A 싱크/소스 과도 부하
  • 활성화 기능을 위한 스위처 S1
  • PGOOD, CLK_IN 및 루프 응답 테스트를 위한 편리한 테스트 지점
  • 하단에 모든 구성 요소가 있는 2레이어 PCB

TPS51200EVM에 대한 설명

TPS51200EVM 평가 보드인 HPA322A는 TI의 비용에 최적화된 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 터미네이션 레귤레이터인 TPS51200의 성능과 특성을 평가하도록 설계되었습니다. TPS51200은 최소한의 외부 부품으로 DDR(2.5V/1.25V), DDR2(1.8V/0.9V), DDR3(1.5V/0.75V), LP DDR3(1.2V/0.6V) 사양을 지원하는 DDR 메모리에 적절한 터미네이션 전압 및 10mA 버퍼 레퍼런스 전압을 제공하도록 설계되었습니다.

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