Dieses Referenzdesign ist ein Wandler mit hoher Dichte, hohem Wirkungsgrad und 5 kW-Leistungsfaktorkorrektur (PFC), der mit den Hochleistungs-Galliumnitrid (GaN)-Leistungsschaltern von TI implementiert ist. Ein Spitzenwirkungsgrad des Systems von 99,2 % wurde bei einer Open-Frame-Leistungsdichte von 120 W/in3 gemessen. Die Leistungsstufe verwendet einen zweiphasigen Totem-Pole-PFC in einem brandneuen, auf Nullstromerkennung (ZCD) basierenden Steuermechanismus. Die neue Steuerungsmethode arbeitet mit variabler Frequenz und erhält das Nullspannungsschaltung (ZVS) unter allen Betriebsbedingungen aufrecht. Die Steuerung wird mit einem Hochleistungs-Mikrocontroller TMS320F280039C und dem GaN-Feldeffekttransistor (FET) LMG3527R030 mit integrierter ZCD-Sensorik implementiert. Der Betriebsfrequenzbereich des Wandlers liegt zwischen 100 kHz und 800 kHz.
Merkmale
- 99,2 % Effizienz
- Phasenabwurf
- 5 kW
- Leistungsdichte: 120 W/in3
- Dichte ohne Überbrückung: 180 W/in3