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LMG3527R030

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GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom

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LMG3527R030

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Produktdetails

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • LMG3526R030 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
    • LMG3527R030 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
  • Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
  • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • LMG3526R030 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
    • LMG3527R030 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
  • Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance

The LMG352xR030 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG352xR030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3526R030 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.The LMG3527R030 includes the zero-current detection (ZCD) feature which provides a pulse output from the ZCD pin when a positive drain-to-source current is detected .

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.

The LMG352xR030 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG352xR030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3526R030 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.The LMG3527R030 includes the zero-current detection (ZCD) feature which provides a pulse output from the ZCD pin when a positive drain-to-source current is detected .

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet LMG352xR030 650 V 30 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. B) PDF | HTML 23 Jan 2025

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Berechnungstool

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG2100R026 — Galliumnitrid-Halbbrücken-Leistungsstufe (GaN) mit 100 V 2,6 mΩ LMG2100R044 — 100-V-Halbbrücken-GaN-FET, 4,4 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz LMG2610 — GaN-Halbbrücke für ACF, 650 V, 170/248 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2640 — 650 V 105 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2650 — 650 V 95 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2652 — 650 V, 140 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2656 — 650 V 230 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3410R050 — GaN, 600 V. 50 mΩ, Treiber und Schutz integriert LMG3410R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3422R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3425R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, Treiber, Schutz und Temperaturmeldung, für Automobilind., idealer Diodenmodus LMG3425R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, Treiber, Schutz und Temperaturmeldung, für Automobilind., idealer Diodenmodus LMG3426R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannung LMG3426R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3427R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom LMG3427R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstromerkennung LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3522R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3526R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Berichtsfunktionen für die Nullspannu LMG3527R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom LMG5200 — GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe für 80 V
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Referenzdesigns

PMP23475 — GaN-basiertes Zweiphasen-Totem-Pole-PFC-Referenzdesign, 5 kW, mit Nullstromerkennung

Dieses Referenzdesign ist ein Wandler mit hoher Dichte, hohem Wirkungsgrad und 5 kW-Leistungsfaktorkorrektur (PFC), der mit den Hochleistungs-Galliumnitrid (GaN)-Leistungsschaltern von TI implementiert ist. Ein Spitzenwirkungsgrad des Systems von 99,2 % wurde bei einer Open-Frame-Leistungsdichte (...)
Test report: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (RQS) 52 Ultra Librarian
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  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

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