Diese Referenz verwendet sechs UCC5880-Q1 Gate-Treiber-ICs und sechs LM5180-Q1 isolierte Bias-Stromversorgungen als Schnittstelle zu und Ansteuerung von Infineon HybridPACK™-IGBT-Modulen (Insulated-Gate Bipolar Transistor). Die isolierte Ausgangsspannung beträgt +15 V und -8 V mit jeweils 100 mA maximalem Ausgangsstrom. Der Eingangsspannungsbereich auf der Primärseite liegt zwischen 8 V und 16 V.
Merkmale
- Getestetes Design mit isoliertem Bias und isoliertem Treiber für Hochstrom-IGBTs
- Vollständig isolierte Wandlung für +15 V- und −8 V-Schienen von KL30
- Die Gate-Treiberstärke ist während der Verarbeitung über analoge Signale oder SPI einstellbar
- Konfigurierbar über serielle Peripherieschnittstelle in Reihenschaltung
- Moderne Schutzfunktionen bieten einfache Kompatibilität mit funktionalen Sicherheitsstandards.