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UCC5881-Q1

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Isolierter 20-A-IGBT/SiC-MOSFET-Echtzeit-Gate-Treiber mit variabler Stärke für die Automobilindustri

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UCC5881-Q1

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Produktdetails

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Peak output current (A) 20 Peak output current (source) (typ) (A) 20 Peak output current (sink) (typ) (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 12 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable TI functional safety category Functional Safety-Compliant
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Peak output current (A) 20 Peak output current (source) (typ) (A) 20 Peak output current (sink) (typ) (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 12 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable TI functional safety category Functional Safety-Compliant
SSOP (DFC) 32 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • Dual-output driver with real time variable drive strength
    • ±15A and ±5A drive current outputs
    • Digital input pins (GD*) for drive strength adjustment without SPI
    • 3 resistor settings R1, R2, or R1||R2
    • Integrated 4A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
  • Primary-side and secondary-side active short circuit (ASC) support
  • Under-voltage and over-voltage protection on internal and external supplies
  • Driver die temperature sensing and over temperature protection
  • Short-circuit protection:
    • 110ns response time to DESAT event
    • DESAT protection – selections up to 14V
    • Shunt resistor based short-circuit (SC) and over-current (OC) protection
    • Configurable protection threshold values and blanking times
    • Programmable soft turn-off (STO) and two-level soft turn-off (2STO) current
  • Integrated 10-bit ADC
    • Able to measure power switch temperature, DC Link voltage, driver die temperature, DESAT pin voltage, VCC2 voltage
    • Programmable digital comparators
  • Advanced VCE/VDS clamping circuit
  • Functional Safety-Compliant
  • Integrated diagnostics:
    • Built in self-test (BIST) for protection comparators
    • Gate threshold voltage measurement for power device health monitoring
    • INP to transistor gate path integrity
    • Internal clock monitoring
    • Fault alarm and warning outputs (nFLT*)
    • ISO communication data integrity check
  • SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
  • 150V/ns CMTI
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature grade 1: -40°C to +125°C ambient operating temperature
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C2b
  • Dual-output driver with real time variable drive strength
    • ±15A and ±5A drive current outputs
    • Digital input pins (GD*) for drive strength adjustment without SPI
    • 3 resistor settings R1, R2, or R1||R2
    • Integrated 4A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
  • Primary-side and secondary-side active short circuit (ASC) support
  • Under-voltage and over-voltage protection on internal and external supplies
  • Driver die temperature sensing and over temperature protection
  • Short-circuit protection:
    • 110ns response time to DESAT event
    • DESAT protection – selections up to 14V
    • Shunt resistor based short-circuit (SC) and over-current (OC) protection
    • Configurable protection threshold values and blanking times
    • Programmable soft turn-off (STO) and two-level soft turn-off (2STO) current
  • Integrated 10-bit ADC
    • Able to measure power switch temperature, DC Link voltage, driver die temperature, DESAT pin voltage, VCC2 voltage
    • Programmable digital comparators
  • Advanced VCE/VDS clamping circuit
  • Functional Safety-Compliant
  • Integrated diagnostics:
    • Built in self-test (BIST) for protection comparators
    • Gate threshold voltage measurement for power device health monitoring
    • INP to transistor gate path integrity
    • Internal clock monitoring
    • Fault alarm and warning outputs (nFLT*)
    • ISO communication data integrity check
  • SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
  • 150V/ns CMTI
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature grade 1: -40°C to +125°C ambient operating temperature
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C2b

The UCC5881-Q1 device is an isolated, highly configurable adjustable drive strength gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections are included, such as shunt resistor based over-current, over-temperature (PTC, NTC, or diode), and DESAT detection, with selectable soft turn-off or two-level soft turn-off during these faults. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to 2 analog inputs, VCC2, DESAT, and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.

The UCC5881-Q1 device is an isolated, highly configurable adjustable drive strength gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections are included, such as shunt resistor based over-current, over-temperature (PTC, NTC, or diode), and DESAT detection, with selectable soft turn-off or two-level soft turn-off during these faults. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to 2 analog inputs, VCC2, DESAT, and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.
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Typ Titel Datum
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Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC5880INVERTEREVM — UCC5880-Q1 Evaluierungsmodul für variable isolierte Gate-Ansteuerung in Traktionswechselrichtern<

Die Platine UCC5880INVERTEREVM kann als eigenständige Platine verwendet werden, um den UCC5880-Q1-Treiber mit einer 100-nF-Kondensatorlast zu testen, die auf der Platine aufgelötet ist. Sie kann auch verwendet werden, um Wolfspeed XM3 SiC-basierte Halbbrücken-Leistungsmodule direkt für (...)

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Evaluierungsplatine

UCC5880QEVM-057 — UCC5880-Q1 – Evaluierungsmodul

Das Evaluierungsmodul UCC5880-Q1 ist zur Evaluierung des isolierten Einkanal-Gate-Treibers UCC5880-Q1 mit 20 A, einstellbarer Gate-Treiberstärke und erweiterten Schutzfunktionen konzipiert. Dieser Gate-Treiber ist zum Antrieb von Hochleistungs-SiC-MOSFETs und IGBTs in Elektrofahrzeug- und (...)
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Treiber oder Bibliothek

UCC5881-DESIGN — UCC5881-Q1 design resources

This repository contains the datasheet and supporting documents for the UCC5881-Q1 device
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Isolierte Gate-Treiber
  • UCC5881-Q1 — Isolierter 20-A-IGBT/SiC-MOSFET-Echtzeit-Gate-Treiber mit variabler Stärke für die Automobilindustri
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Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese Design- und Simulationssuite mit vollem Funktionsumfang verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
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Referenzdesigns

TIDM-02014 — Referenzdesign für hochleistungsfähigen SiC-Traktionsinverter für die Automobilindustrie

Das TIDM-02014 ist ein 800-V-, 300-kW-SiC-basiertes Referenzdesign für Traktionsinverter, das von Texas Instruments und Wolfspeed entwickelt wurde. Es bietet eine Grundlage für OEMs und Entwicklungsingenieure, um leistungsstarke, hocheffiziente Traktionsinvertersysteme zu entwickeln und schneller (...)
Design guide: PDF
Referenzdesigns

PMP31236 — Gate-Treiber-Referenzdesign für HybridPACK™ Drive IGBT-Module

Diese Referenz verwendet sechs UCC5880-Q1 Gate-Treiber-ICs und sechs LM5180-Q1 isolierte Bias-Stromversorgungen als Schnittstelle zu und Ansteuerung von Infineon HybridPACK™-IGBT-Modulen (Insulated-Gate Bipolar Transistor). Die isolierte Ausgangsspannung beträgt +15 V und -8 V mit jeweils 100 mA (...)
Test report: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SSOP (DFC) 32 Ultra Librarian
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