Die Parallelschaltung von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) wird für Stromwandlungsgeräte mit höheren Ausgangsleistungen erforderlich, bei denen ein einzelner IGBT nicht den erforderlichen Laststrom liefern kann. Dieses Referenzdesign implementiert ein verstärkt isoliertes IGBT-Gate-Steuermodul zur Ansteuerung von parallelen IGBTs in Halbbrückenkonfiguration. Die Parallelschaltung von IGBTs stellt sowohl auf Gate-Treiber- (unzureichende Antriebsstärke) als auch auf Systemebene eine Herausforderung dar, die Stromverteilung in beiden IGBTs gleich zu halten und gleichzeitig Ein- und Ausschaltzeiten zu beschleunigen. Dieses Referenzdesign verwendet einen IGBT-Gate-Treiber mit verstärkter Isolierung und integrierten Funktionen wie Entsättigungserkennung und Sanftabschaltung, um den IGBT bei Fehlerzuständen zu schützen. Ein erhöhter Gate-Antriebsstrom (15 A) wird durch eine externe BJT-Strom-Boosterstufe erreicht, ohne dass dies die Sanftabschaltungsfunktion beeinträchtigt. Darüber hinaus demonstriert dieses Design den Mechanismus zur Vermeidung von Gate-Stromschleifen, während IGBTs parallel betrieben werden.
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| Typ | Titel | Neueste englische Version herunterladen | Datum | ||
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| * | Designleitfaden | IGBT Gate Driver Ref Design for Parallel IGBTs (Rev. A) | 19.01.2017 |
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