TIDA-010936
48 V/16 A Referenzdesign für dreiphasige GaN-Inverter mit kleinem Formfaktor für integrierte Moto
TIDA-010936
Überblick
Dieses Referenzdesign veranschaulicht eine 3-Phasen-Leistungsstufe mit hoher Leistungsdichte von 12 V bis 60 V unter Verwendung von drei LMG2100R044-GaN-Halbbrücken (Galliumnitrid, 100 V, 35 A) mit integrierten GaN-FETs, Treiber und Bootstrap-Diode speziell für motorintegrierte Servoantriebe und Robotikanwendungen. Eine genaue Phasenstrommessung wird durch den Strommessverstärker IN241A oder den funktionell isolierten Delta-Sigma-Modulator AMC0106M05 erreicht. Darüber hinaus werden auch der DC-Link und die Phasenspannungen gemessen, was die Validierung fortschrittlicher sensorloser Designs, wie zum Beispiel des InstaSPINFOC™, ermöglicht. Das Design bietet eine mit dem TI BoosterPack™ kompatible 3,3-V-E/A-Schnittstelle zum Anschluss an ein C2000™ MCU LaunchPad™-Entwicklungskit oder einen Sitara™-Mikrocontroller zur schnellen und einfachen Leistungsbewertung der GaN-Technologie von TI.
Merkmale
- GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe LMG2100R044 mit kleinem Formfaktor ermöglicht eine hohe Leistungsdichte und vereinfacht das Platinenlayout
- Hoher Wirkungsgrad (99,3 % Spitzenleistung) bei 40 kHz PWM ermöglicht den Betrieb bei 25 °C Umgebungstemperatur und bis zu 16 ARMS Dauerstrom ohne Kühlkörper
- Der Baustein LMG2100R044 ermöglicht den Betrieb bei höheren PWM-Frequenzen. Dadurch kann die Größe und Höhe des DC-Bus-Kondensators verringert werden, indem Elektrolyt- durch Keramikkondensatoren ersetzt werden.
- Dadurch, dass keine Sperrverzögerungsverluste entstehen, werden die Schwingungen des Schaltknotens gemindert
- Die geringe Totzeit von 16,6 ns minimiert Phasenspannungsverzerrungen
- Optionen zur präzisen Phasenstrommessung unter Verwendung eines 1-mΩ-Shunts, entweder mit einem INA241A-Verstärker mit hoher PWM-Unterdrückung oder einem funktionell isolierten AMC0106M05-Modulator
Designdateien und Produkte
Designdateien
Laden Sie sich sofort einsetzbare Systemdateien herunter, um Ihren Designprozess zu beschleunigen.
Überblick über Referenzdesigns und verifizierte Leistungstestdaten
Detaillierter Überblick über das Design-Layout zur Bestimmung der Position der Komponenten
Vollständige Liste mit Designkomponenten, Referenz-Bezeichnern und Hersteller-/Teilenummern
Dateien für 3D-Modelle oder 2D-Zeichnungen von IC-Komponenten
Designdatei mit Informationen zur physikalischen Platinenschicht der Design-Platine
Leiterplattenschicht-Plotdatei zur Erstellung des Design-Layouts der Leiterplatte
Detailliertes Schaltplandiagramm für Design-Layout und Komponenten
Produkte
Enthält TI-Produkte in der Entwicklung und mögliche Alternativen.
AMC0106M25 — Funktionaler isolierter Delta-Sigma-Modulator mit ±250 mV Eingängen zur Strommessung
AMC0106M05 — Funktionaler isolierter Delta-Sigma-Modulator mit ±50 mV Eingängen zur Strommessung
LMG2100R044 — 100-V-Halbbrücken-GaN-FET, 4,4 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz
Entwicklung starten
Technische Dokumentation
| Top-Dokumentation | Typ | Titel | Format-Optionen | Neueste englische Version herunterladen | Datum |
|---|---|---|---|---|---|
| * | Designleitfaden | 48V, 16A Small Form Factor Three-Phase GaN Inverter Reference Design for Integrated Motor Drives (Rev. A) | PDF | HTML | 25.03.2025 |
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