Dieses Referenzdesign veranschaulicht eine 3-Phasen-Leistungsstufe mit hoher Leistungsdichte von 12 V bis 60 V unter Verwendung von drei LMG2100R044-GaN-Halbbrücken (Galliumnitrid, 100 V, 35 A) mit integrierten GaN-FETs, Treiber und Bootstrap-Diode speziell für motorintegrierte Servoantriebe und Robotikanwendungen. Eine genaue Phasenstrommessung wird durch den Strommessverstärker IN241A oder den funktionell isolierten Delta-Sigma-Modulator AMC0106M05 erreicht. Darüber hinaus werden auch der DC-Link und die Phasenspannungen gemessen, was die Validierung fortschrittlicher sensorloser Designs, wie zum Beispiel des InstaSPINFOC™, ermöglicht. Das Design bietet eine mit dem TI BoosterPack™ kompatible 3,3-V-E/A-Schnittstelle zum Anschluss an ein C2000™ MCU LaunchPad™-Entwicklungskit oder einen Sitara™-Mikrocontroller zur schnellen und einfachen Leistungsbewertung der GaN-Technologie von TI.
Eine voll bestückte Platine wurde nur für Test- und Leistungsvalidierung entwickelt. Sie wird nicht zum Verkauf angeboten.
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Überblick über Referenzdesigns und verifizierte Leistungstestdaten
Detaillierter Überblick über das Design-Layout zur Bestimmung der Position der Komponenten
Vollständige Liste mit Designkomponenten, Referenz-Bezeichnern und Hersteller-/Teilenummern
Dateien für 3D-Modelle oder 2D-Zeichnungen von IC-Komponenten
Designdatei mit Informationen zur physikalischen Platinenschicht der Design-Platine
Leiterplattenschicht-Plotdatei zur Erstellung des Design-Layouts der Leiterplatte
Detailliertes Schaltplandiagramm für Design-Layout und Komponenten
Enthält TI-Produkte in der Entwicklung und mögliche Alternativen.
| Typ | Titel | Neueste englische Version herunterladen | Datum | ||
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| * | Designleitfaden | 48V, 16A Small Form Factor Three-Phase GaN Inverter Reference Design for Integrated Motor Drives (Rev. A) | PDF | HTML | 25.03.2025 |
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