Dieses Referenzdesign beschreibt eine einkanalige 4,2-W-Flyback-Bias-Stromversorgung mit 12-V-Batterieeingang für isolierte IGBT-/SiC-Gate-Treiber der Automobilindustrie. Die Versorgung unterstützt einen großen Eingangsgleichspannungsbereich von 4,5 V bis 65 V. Der Ausgang ist konfigurierbar auf +15 V, – 8 V oder +20 V, – 4 V bei Lasten von bis zu 180 mA zum Antrieb der IGBT- und SiC-MOSFET-Leistungsmodule. Das System beinhaltet Verpolungsschutz, Klemmung elektrischer Transienten sowie Überspannungs- und Unterspannungsschutzschaltungen. Der Flyback-Controller implementiert eine primärseitige Regelung mit einer Last- und Leitungsausregelung besser als ± 1 %. Das Leistungsstufendesign beinhaltet die zweikanaligen isolierten Gate-Treiber mit verstärkter Isolierung von 5,7 kVRMS und kompaktem Formfaktor von 100 mm × 62 mm. Es umfasst isolierte Gleichspannungsbus-Erfassung, isolierte Temperaturerfassung, logischen Shoot-Through-Schutz und Diagnosefunktionen.
Eine voll bestückte Platine wurde nur für Test- und Leistungsvalidierung entwickelt. Sie wird nicht zum Verkauf angeboten.
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| Typ | Titel | Neueste englische Version herunterladen | Datum | ||
|---|---|---|---|---|---|
| * | Designleitfaden | 4.5-V to 65-V Input, Compact Bias Supply W/ Power Stage Ref. Des. for IGBT/SiC | 03.04.2019 |
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