Dieses Referenzdesign beschreibt eine IGBT- oder SiC-isolierte Gate-Treiber-Leistungsstufe, die ein IGBT-Modul mit erweiterten Schutzfunktionen ansteuert. Das Design besteht aus einer einphasigen Leistungsstufe von einem Traktionsinverter, mit einem hohen Niveau an Sicherheitsfunktionen. Das IGBT-Modul verfügt über eine integrierte thermische Diode zur Temperaturüberwachung und einen Sensor-FET zum Überstromschutz, der schnelle und genaue Schutzfunktionen bietet. Es beinhaltet die Vorspannungsversorgungen und deren Ausgangsspannungsüberwachung, isolierte Gleichstrombus-Sensorik in redundanten Schaltkreisen, Temperaturerfassung für Highside- und Low-Side-Treiber, PWM-Gate-Signalüberwachung und Fehlersignaleinspeisediagnose. Die Versorgung unterstützt einen großen Eingangsgleichspannungsbereich von 4,5 V bis 65 V und liefert bis zu 180 mA Ausgangsstrom. Der isolierte Gate-Treiber hat eine Antriebsstärke von bis zu ± 10 A und enthält außerdem einen Analog-PWM-Wandler zur Temperatur- und Spannungsmessung.
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| Typ | Titel | Neueste englische Version herunterladen | Datum | ||
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| * | Designleitfaden | SiC/IGBT Isolated Gate Driver Reference Design With Thermal Diode and Sensing | 18.12.2019 |
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