Das UCC21530EVM-286 wurde für die Evaluierung des UCC21530DWK entwickelt, eines isolierten zweikanaligen Gate-Treibers mit 4-A-Quell- und 6-A-Senk-Spitzenstrom, 12 V UVLO, Aktivierungsfunktion (Active High) und 3,3 mm Kriechstrecke zwischen den Kanälen. Dieses EVM könnte als Referenzdesign zur Ansteuerung von IGBTs und SiC-MOSFETS in Stromversorgungssystemen herangezogen werden.
Merkmale
- Universell: Dual-Low-Side-, Dual-Highside- oder Halbbrückentreiber
- Gleichtakt-Transientenstörfestigkeit CMTI über 100 V/ns
- Programmierbare Überlappung und Totzeit
- Verstärkte Isolierung von 5,7 kVrms
- Großes SOIC-14 (DWK)-Gehäuse mit 3,3 mm Abstand zwischen den Kanälen auf der Sekundärseite