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UCC21530-Q1

AKTIV

Zweikanal-Gate-Treiber für die Automobilindustrie mit 4 A, 6 A, 5,7 kVRMS und EN- und DT-Pins für IG

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UCC21551-Q1 AKTIV Zweikanal-Gate-Treiber für die Automobilindustrie mit 4 A, 6 A, 5 kVRMS und EN- und DT-Pins für IGBT Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

UCC21530-Q1

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Produktdetails

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • AEC-Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
  • Functional Safety Quality-Managed
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V,12V and 17V VDD UVLO options
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • AEC-Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
  • Functional Safety Quality-Managed
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V,12V and 17V VDD UVLO options
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C

The UCC21530-Q1 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.

The UCC21530-Q1 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet UCC21530-Q1 4A, 6A, 5.7kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 3.3mm Channel-to-Channel Spacing datasheet (Rev. F) PDF | HTML 17 Sep 2024
Certificate VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 22 Sep 2025
Certificate UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. D) 08 Sep 2025
Application note Impact of Narrow Pulse Widths in Gate Driver Circuits (Rev. A) PDF | HTML 25 Jan 2024
White paper Addressing High-Volt Design Challenges w/ Reliable and Affordable Isolation Tech (Rev. C) PDF | HTML 26 Sep 2023
Certificate UCC21540 CQC Certificate of Product Certification 17 Aug 2023
Certificate UCC215xx CQC Certificate of Product Certification 17 Aug 2023
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 16 Dez 2021
Certificate CSA Product Certificate (Rev. A) 15 Aug 2019
Technical article Searching for the newest innovations in power? Find them at APEC PDF | HTML 09 Feb 2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC21530EVM-286 — UCC21530 Evaluierungsmodul für isolierte Zweikanal-Treiber

Das UCC21530EVM-286 wurde für die Evaluierung des UCC21530DWK entwickelt, eines isolierten zweikanaligen Gate-Treibers mit 4-A-Quell- und 6-A-Senk-Spitzenstrom, 12 V UVLO, Aktivierungsfunktion (Active High) und 3,3 mm Kriechstrecke zwischen den Kanälen. Dieses EVM könnte als Referenzdesign zur (...)
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
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Treiber oder Bibliothek

UCC21520-Q1-DESIGN — UCC21520-Q1 design resources

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UCC21520-Q1 — Isol. 2-kanal. Gate-Treiber für Auto-Anwend., 4 A, 6 A, 5,7 kVRMS, Doppeleingang, Disable & Deadtime UCC21530-Q1 — Zweikanal-Gate-Treiber für die Automobilindustrie mit 4 A, 6 A, 5,7 kVRMS und EN- und DT-Pins für IG
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Simulationsmodell

UCC21530 PSpice Transient Model

SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice Model
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Schaltplan

Application Guide: Dual-Channel Schematic and Layout Design Guidelines (Rev. A)

SZZM003A.ZIP (1317 KB)
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Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese Design- und Simulationssuite mit vollem Funktionsumfang verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
Anfordern
Referenzdesigns

TIDM-02002 — Referenzdesign für eine bidirektionale, CLLLC-resonante, duale Aktivbrücke (DAB) für HEV-/EV-Ladeger

Die CLLLC-resonante DAB mit bidirektionalem Leistungsfluss und weichen Schalteigenschaften ist ideal für integrierte Ladegerät- und Energiespeicheranwendungen in Hybrid-Elektrofahrzeugen/Elektrofahrzeugen (HEV/EV). Dieses Design beschreibt die Steuerung dieser Stromversorgungstopologie mit einem (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Referenzdesigns

TIDM-02012 — Referenzdesign für Hochspannungs-HEV/EV-HLK-eCompressor-Motorsteuerung mit MathWorks®

Das TIDM-02012 ist ein Hochspannungs-Referenzdesign mit 5 kW für HEV/EV-Kompressoranwendungen (eCompressor), das von einer Echtzeit C2000™-MCU TMS320F28003x mit mittlerer Leistung gesteuert wird. Es wurde zur Evaluierung mit 400-V- und 800-V-DC-Bus entwickelt und deckt die Markttrends bei höheren (...)
Design guide: PDF
Referenzdesigns

TIDM-02009 — Referenzdesign für bidirektionale DC-DC-Wandlung mit ASIL D-Sicherheitskonzept und Hochgeschwindigke

Dieses Referenzdesign zeigt, wie der Hybrid-/Elektrofahrzeug-Traktionswechselrichter und der bidirektionale DC/DC-Wandlers mit einer einzigen TMS320F28388D Echtzeit-C2000™ MCU gesteuert werden können. Die Traktionskontrolle verwendet einen softwarebasierten Resolver-Digital-Wandler (RDC), der den (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Referenzdesigns

TIDA-01605 — Referenzdesign für zweikanaligen SiC-MOSFET-Gate-Treiber für die Automobilindustrie mit zweistufigem

Dieses Referenzdesign beschreibt eine für den Automobilbereich zugelassene isolierte Gate-Treiberlösung zum Ansteuern von Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs in Halbbrückenkonfiguration. Das Design enthält zwei Push-Pull-Bias-Stromversorgungen für die beiden Kanäle des isolierten Gate-Treibers, und die (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Referenzdesigns

PMP21999 — Referenzdesign für bidirektionalen CLLLC-Resonanzwandler mit 6,6 kW und Leiterplattenwicklungstransf

Dieses Referenzdesign für einen bidirektionalen 6,6-kW-Dual-Aktivbrücken-Resonanzwandler ermöglicht eine Eingangsspannung von 380 V DC bis 600 V DC und eine Ausgangsspannung von 280 V DC bis 450 V DC. In diesem Design werden ein PCB-Wicklungstransformator und eine Rogowski-Spule mit (...)
Test report: PDF
Schaltplan: PDF
Referenzdesigns

PMP21561 — Referenzdesign für sicherheitsisolierten sekundären SiC-MOSFET-Treiber

Dieses Referenzdesign bietet eine integrierte isolierte High- und Low-Side-Sekundär-Gate-Treiberlösung für ein Batterieladesystem in der Automobilindustrie mit zwei SN6505B-Push-Pull-Transformatortreibern und dem isolierten Zweikanal-Gate-Treiber UCC21521C.
Test report: PDF
Schaltplan: PDF
Referenzdesigns

PMP21553 — Referenzdesign für sicherheitsisolierten primären SiC-MOSFET-Treiber

Dieses Referenzdesign bietet eine integrierte isolierte High- und Low-Side-Primär-Gate-Treiberlösung für ein Batterieladesystem in der Automobilindustrie mit zwei SN6505B-Push-Pull-Transformatortreibern und dem isolierten Zweikanal-Gate-Treiber UCC21521C.
Test report: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

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