Este diseño de referencia demuestra una etapa de potencia trifásica de 12 V a 60 V de alta densidad de potencia que utiliza tres semipuentes de nitruro de galio (GaN) LMG2100R044 de 100 V y 35 A con FET de GaN integrados, controlador y diodo de arranque específicamente para servoaccionamientos integrados en motores y aplicaciones robóticas. La detección precisa de la corriente de fase se logra mediante el amplificador de detección de corriente IN241A o el modulador sigma-delta funcionalmente aislado AMC0106M05. También se miden las tensiones de fase y de enlace de CC, lo que permite la validación de diseños avanzados sin sensor, como el InstaSPINFOC™. El diseño ofrece una interfaz de E/S de 3.3 V compatible con BoosterPack™ de TI para conectarse a un kit de desarrollo de MCU C2000™ LaunchPad™ o a un microcontrolador Sitara™ para una evaluación rápida y sencilla del rendimiento de la tecnología GaN de TI.
Funciones
- La etapa de potencia de medio puente de GaN LMG2100R044 de tamaño reducido permite una alta densidad de potencia y un diseño sencillo de la placa de circuito impreso.
- Alta eficiencia (99.3 % pico) a 40 kHz PWM permite el funcionamiento a 25 °C ambiente hasta 16 ARMS de corriente continua sin disipador de calor
- El dispositivo LMG2100R044 permite el funcionamiento a frecuencias PWM más altas para ayudar a reducir el tamaño y la altura del condensador del bus de CC mediante la sustitución de condensadores electrolíticos por condensadores cerámicos
- Las pérdidas de recuperación inversa cero reducen las oscilaciones del nodo de conmutación.
- El bajo tiempo muerto de 16.6 ns minimiza las distorsiones de tensión de fase
- Opciones de detección de corriente de fase de precisión mediante una derivación de 1 mΩ con un amplificador INA241A con alto rechazo PWM o un modulador aislado funcional AMC0106M05