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Diseño y desarrollo

UCC21710QDWEVM-025

Placa de evaluación de conducción y protección para transistores y módulos de potencia SiC e IGBT

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UCC21710QDWEVM-025

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Información general

El UCC21710QDWEVM-025 es una placa de controlador de puerta aislada de un canal compacta que proporciona accionamiento, tensiones de polarización, protección y diagnóstico necesarios para los módulos de potencia MOSFET y Si IGBT de SiC en encapsulados de 150 x 62 x 17 mm y 106 x 62 x 30 mm. Este EVM de TI se basa en controladores de aislamiento reforzado de 5.7 kVrms UCC21710 en encapsulado SOIC-16DW con fuga y espacio libre de 8.0 mm. El EVM incluye fuentes de alimentación de polarización de transformador CC-CC aisladas basadas en SN6505B.

Funciones
  • Corriente de accionamiento de salida dividida y máxima 10 A con tensiones de accionamiento programables
  • Dos canales aislados reforzados de 5.7 kVrms compatibles con un carril de entrada de hasta 1700 V
  • Protección contra cortocircuito con apagado suave y abrazadera Miller con FET interno
  • Solución resistente inmune al ruido con CMTI > 100 V/ns

  • No incluye los módulos de potencia
Controladores de compuertas aislados
UCC21710 — Controlador de puerta aislada monocanal de ±10 A y 5.7 kVrms con detección de OC y pinza interna par UCC21710-Q1 — Controlador de puerta aislada monocanal de 10 A y 5.7 kVrms con protección contra sobrecorrientes pa UCC21717-Q1 — Controlador de puerta aislada de canal único de fuente/disipador de 10 A para SiC/IGBT con protecció

 

Controladores para transformadores
SN6505B — Controlador de transformador de bajo ruido, 1 mA, 420 kHz para fuentes de alimentación aisladas con

 

Reguladores lineales y de baja salida (LDO)
TPS709 — Regulador de tensión de caída baja de 150 mA, 30 V e IQ ultrabajo con protección de corriente invers

 

Supervisores de tensión de suministro
TPS3700-Q1 — Detector automotriz de tensión de ventana de alta tensión (18 V) para monitorización de sobretensión
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Placa de evaluación

UCC21710QDWEVM-025 — Driving and protection evaluation board for SiC and IGBT transistors and power modules

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UCC21710QDWEVM-025 — Driving and protection evaluation board for SiC and IGBT transistors and power modules

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Fecha de publicación: 26/07/2020
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Información de la versión

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Documentación técnica

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Certificado UCC21710QDWEVM-025 EU Declaration of Conformity (DoC) PDF | HTML 24/01/2024
Guía del usuario UCC217xx Family Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules and Transistor (Rev. B) 9/09/2019

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