LMG3410-HB-EVM

LMG3410R070 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

LMG3410-HB-EVM

購入

概要

LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG34XX ハーフ・ブリッジ・ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。 この評価基板は、出力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。 この評価基板は適切な熱管理(強制空冷、低周波動作など)を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。 この評価基板は、オープン・ループ・ボードであるため、過渡測定に適していません。
相補型パルス幅変調信号と、ボード上に生成される対応デッドタイムにより、必要とされるパルス幅変調入力はわずか一つです。短いグランド・スプリングを搭載しているオシロスコープのプローブにより、ロジックと出力段の主な波形を測定するため、プローブ点が用意されています。
 
LMG3410-HB-EVM は、必要なすべての補助ペリフェラル回路を搭載している LMG3410R070 GaN FET を 2 個使用し、1 個のハーフ・ブリッジを形成します。  この評価基板は、LMG34XX-BB-EVM やカスタム設計の出力段など、より大規模なシステムと組み合わせて使用できます。  LMG3410R070 を高性能レイアウトに搭載し、利便性の高い接続ポイントを組み合わせて提供しているので、動作波形とインサーキット波形をすばやく簡単に測定できます。

必要な回路がすべて実装されているため、レベルシフトや絶縁は不要です。  補助バイアスは 2 つの方法で生成できます。デフォルトは 5V 単一入力のみを必要とする絶縁型電源で、12V ブートストラップ・モードで動作するように構成を変更することも可能です。  露出銅パッドが用意されており、消費電力がより大きい場合にヒートシンク・アセンブリを取り付けることができます。

特長
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG3410R070 の性能を評価するシンプルなオープン・ループ設計
  • デッドタイムが 50ns の PWM 信号に対応する、単一 PWM 入力をオンボードに搭載
  • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブによる、ロジックと出力段測定のための利便性の高いプローブ点

  • LMG3410-HB-EVM

GaN (窒化ガリウム) IC
LMG3410R070 ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3411R050 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN

 

デジタル・アイソレータ
ISO7831 最高絶縁定格、トリプルチャネル、2/1、強化絶縁型デジタル・アイソレータ

購入と開発の開始

ハードウェア、ソフトウェア、資料のパッケージ詳細

ハードウェアとソフトウェアのパッケージ

Evaluating LMG3410R070 GaN FET power stage

パッケージの表示

このハードウェアのみ購入

ドーター・カード

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

TI.com で取り扱いなし
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

設計ファイル

技術資料

star
= TI が選択した主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアして、もう一度検索を行ってください。
すべて表示 7
種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* EVM ユーザー ガイド (英語) Using the LMG3410-HB-EVM Half-Bridge and LMG34XX-BB-EVM Breakout Board EVM (Rev. A) 2017年 5月 3日
データシート LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN with Integrated Driver and Protection データシート (Rev. F) PDF | HTML 2020年 4月 6日
データシート LMG341xR050 600-V 50-mΩ Integrated GaN Fet Power Stage With Overcurrent Protection データシート (Rev. B) PDF | HTML 2020年 1月 16日
データシート LMG341xR050 過電流保護機能搭載、600V、50mΩ 統合型 GaN 出力段 データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 最新の英語版をダウンロード (Rev.B) PDF | HTML 2020年 1月 16日
データシート LMG341xR070 ドライバおよび保護機能搭載の600V、70mΩ GaN データシート (Rev. E 翻訳版) PDF | HTML 最新の英語版をダウンロード (Rev.F) PDF | HTML 2019年 7月 19日
証明書 LMG3410-HB-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 1月 2日
技術記事 Is integrated GaN changing the conventional wisdom? 2016年 10月 7日

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

すべてのフォーラムトピックを英語で表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関する質問は、TI サポートのページをご覧ください。

ビデオ