製品詳細

Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 3 Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.03 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.67 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 3 Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.03 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.67 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWW) 16 177.675 mm² 10.3 x 17.25
  • Signaling Rate: Up to 100 Mbps
  • Wide Supply Range: 2.25 V to 5.5 V
  • 2.25 V to 5.5 V Level Translation
  • Wide Temperature Range: –55°C to 125°C
  • Low Power Consumption, Typical 1.7 mA per
    Channel at 1 Mbps
  • Low Propagation Delay: 11 ns Typical
    (5-V Supplies)
  • Industry leading CMTI (min): ±100 kV/µs
  • Robust Electromagnetic Compatibility (EMC)
  • System-Level ESD, EFT, and Surge Immunity
  • Low Emissions
  • Isolation Barrier Life: > 40 Years
  • SOIC-16 Wide Body (DW) and Extra-Wide Body
    (DWW) Package Options
  • Safety-Related Certifications:
    • 8000 VPK Reinforced Isolation per DIN V VDE
      V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
    • 5.7 kVRMS Isolation for 1 Minute per UL 1577
    • CSA Component Acceptance Notice 5A, IEC
      60950-1 and IEC 60601-1 End Equipment
      Standards
    • CQC Certification per GB4943.1-2011
    • TUV Certification per EN 61010-1 and EN
      60950-1
    • All DW Package Certifications Complete;
      DWW Package Certifications Complete per
      UL, VDE, TUV and Planned for CSA and CQC
  • Signaling Rate: Up to 100 Mbps
  • Wide Supply Range: 2.25 V to 5.5 V
  • 2.25 V to 5.5 V Level Translation
  • Wide Temperature Range: –55°C to 125°C
  • Low Power Consumption, Typical 1.7 mA per
    Channel at 1 Mbps
  • Low Propagation Delay: 11 ns Typical
    (5-V Supplies)
  • Industry leading CMTI (min): ±100 kV/µs
  • Robust Electromagnetic Compatibility (EMC)
  • System-Level ESD, EFT, and Surge Immunity
  • Low Emissions
  • Isolation Barrier Life: > 40 Years
  • SOIC-16 Wide Body (DW) and Extra-Wide Body
    (DWW) Package Options
  • Safety-Related Certifications:
    • 8000 VPK Reinforced Isolation per DIN V VDE
      V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
    • 5.7 kVRMS Isolation for 1 Minute per UL 1577
    • CSA Component Acceptance Notice 5A, IEC
      60950-1 and IEC 60601-1 End Equipment
      Standards
    • CQC Certification per GB4943.1-2011
    • TUV Certification per EN 61010-1 and EN
      60950-1
    • All DW Package Certifications Complete;
      DWW Package Certifications Complete per
      UL, VDE, TUV and Planned for CSA and CQC

The ISO7831x device is a high-performance, 3-channel digital isolator with 8000-VPK isolation voltage. This device has reinforced isolation certifications according to VDE, CSA, TUV and CQC. The isolator provides high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption, while isolating CMOS or LVCMOS digital I/Os.

Each isolation channel has a logic input and output buffer separated by silicon dioxide (SiO2) insulation barrier. This device comes with enable pins which can be used to put the respective outputs in high impedance for multi-master driving applications and to reduce power consumption. The ISO7831x device has two forward and one reverse-direction channels. If the input power or signal is lost, the default output is high for the ISO7831 device and low for the ISO7831F device. See Device Functional Modes for further details.

Used in conjunction with isolated power supplies, this device helps prevent noise currents on a data bus or other circuits from entering the local ground and interfering with or damaging sensitive circuitry. Through innovative chip design and layout techniques, electromagnetic compatibility of ISO7831x has been significantly enhanced to ease system-level ESD, EFT, surge, and emissions compliance. ISO7831x is available in a 16-pin SOIC wide-body (DW) and extra-wide body (DWW) packages.

The ISO7831x device is a high-performance, 3-channel digital isolator with 8000-VPK isolation voltage. This device has reinforced isolation certifications according to VDE, CSA, TUV and CQC. The isolator provides high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption, while isolating CMOS or LVCMOS digital I/Os.

Each isolation channel has a logic input and output buffer separated by silicon dioxide (SiO2) insulation barrier. This device comes with enable pins which can be used to put the respective outputs in high impedance for multi-master driving applications and to reduce power consumption. The ISO7831x device has two forward and one reverse-direction channels. If the input power or signal is lost, the default output is high for the ISO7831 device and low for the ISO7831F device. See Device Functional Modes for further details.

Used in conjunction with isolated power supplies, this device helps prevent noise currents on a data bus or other circuits from entering the local ground and interfering with or damaging sensitive circuitry. Through innovative chip design and layout techniques, electromagnetic compatibility of ISO7831x has been significantly enhanced to ease system-level ESD, EFT, surge, and emissions compliance. ISO7831x is available in a 16-pin SOIC wide-body (DW) and extra-wide body (DWW) packages.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート ISO7831x High-Performance, 8000-VPK Reinforced Triple Digital Isolators データシート (Rev. B) PDF | HTML 2016年 6月 28日
証明書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) 2024年 2月 29日
アプリケーション・ノート Digital Isolator Design Guide (Rev. G) PDF | HTML 2023年 9月 13日
ホワイト・ペーパー Improve Your System Performance by Replacing Optocouplers with Digital Isolators (Rev. C) PDF | HTML 2023年 9月 7日
ホワイト・ペーパー Circuit Board Insulation Design According to IEC60664 for Motor Drive Apps PDF | HTML 2023年 8月 31日
証明書 CQC Certificate for ISOxxDWx (Rev. J) 2023年 3月 27日
証明書 CSA Certificate for ISO78xxDWx 2023年 3月 13日
証明書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. K) 2022年 8月 5日
証明書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. P) 2022年 8月 5日
ホワイト・ペーパー Why are Digital Isolators Certified to Meet Electrical Equipment Standards? 2021年 11月 16日
ホワイト・ペーパー Distance Through Insulation: How Digital Isolators Meet Certification Requiremen PDF | HTML 2021年 6月 11日
EVM ユーザー ガイド (英語) Universal Digital Isolator Evaluation Module PDF | HTML 2021年 3月 4日
機能安全情報 Isolation in AC Motor Drives: Understanding the IEC 61800-5-1 Safety Standard (Rev. A) 2019年 9月 19日
ホワイト・ペーパー Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A) 2018年 11月 19日
Analog Design Journal Pushing the envelope with high-performance digital-isolation technology (Rev. A) 2018年 8月 22日
アプリケーション概要 Considerations for Selecting Digital Isolators 2018年 7月 24日
機能安全情報 Isolation in solar power converters: Understanding the IEC62109-1 safety standar (Rev. A) 2018年 5月 18日
Analog Design Journal How to reduce radiated emissions of digital isolators for systems with RF module 2018年 3月 26日
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ホワイト・ペーパー ACモーター・ドライブの絶縁: IEC 61800-5-1 安全規格の理解 最新英語版 (Rev.A) 2017年 6月 19日
技術記事 Is integrated GaN changing the conventional wisdom? PDF | HTML 2016年 10月 7日
Analog Design Journal 4Q 2015 Analog Applications Journal 2015年 10月 30日
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EVM ユーザー ガイド (英語) ISO784xx Quad-Channel Digital Isolator EVM User Guide 2014年 10月 17日
ホワイト・ペーパー Understanding electromagnetic compliance tests in digital isolators 2014年 10月 17日
ホワイト・ペーパー High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014年 10月 16日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

DIGI-ISO-EVM — ユニバーサル・デジタル・アイソレータ評価モジュール

DIGI-ISO-EVM は、以下の 5 種類のパッケージのいずれかに封止されている、TI のシングルチャネル、デュアルチャネル、トリプルチャネル、クワッドチャネル、または 6 チャネル デジタル アイソレータ デバイスの評価に使用できる評価基板です。幅の狭い 8 ピン SOIC (D)、幅の広い 8 ピン SOIC (DWV)、幅の広い 16 ピン SOIC (DW)、超幅広 16 ピン SOIC (DWW)、16 ピン QSOP (DBQ) の各パッケージ。この評価基板 (EVM) は十分な数の Berg ピン (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
評価ボード

ISO7842-EVM — 高イミュニティ、5.7kVRMS 強化絶縁、4 チャネル 2/2 デジタル・アイソレータ評価モジュール

The ISO7842 provides galvanic isolation up to 5700 VRMS for 1 minute per UL and 8000 VPK per VDE. This device has four isolated channels comprised of a logic input and output buffer separated by a silicon dioxide (SiO2) insulation barrier. Used in conjunction with isolated power supplies, this (...)

ユーザー ガイド: PDF
ドーター・カード

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG34XX ハーフ・ブリッジ・ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。 この評価基板は、出力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。 この評価基板は適切な熱管理(強制空冷、低周波動作など)を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。 この評価基板は、オープン・ループ・ボードであるため、過渡測定に適していません。
(...)
ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

ISO7831 IBIS Model (Rev. B)

SLLM286B.ZIP (104 KB) - IBIS Model
シミュレーション・モデル

ISO7831F IBIS Model

SLLM288.IBS (243 KB) - IBIS Model
リファレンス・デザイン

PMP20873 — 効率 99% の 1kW GaN ベース CCM トーテムポール力率補正(PFC)コンバータのリファレンス・デザイン

連続導通モード(CCM)トーテムポール力率補正(PFC)は、シンプルで高効率なパワー・コンバータを実現します。99% の効率を実現するためには、さまざまな設計上の詳細を考慮する必要があります。PMP20873 リファレンス・デザインでは、TI の 600VGaN 出力段、LMG3410、TI の UCD3138 デジタル・コントローラを使用します。設計概要で、CCM トーテムポール・トポロジ動作の詳細、回路設計の詳細な考慮事項、磁気素子およびファームウェア制御設計上の考慮事項を説明します。このコンバータは 100KHz で動作します。AC (...)
試験報告書: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDM-1007 — インターリーブ型 CCM トーテムポール・ブリッジレス力率補正(PFC)のリファレンス・デザイン

インターリーブ連続導通モード(CCM)トーテムポール(TTPL)ブリッジレス力率補正(PFC)は、バンドギャップの大きい GaN デバイスを複数使用する電源トポロジで、高効率や電源の小型化というメリットを提供します。このリファレンス・デザインは C2000™ マイコンと LMG3410 GaN FET モジュールを使用してこの出力段を制御します。アダプティブ・デッドタイム制御と位相シェディング方式により、効率を向上します。  (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDM-02008 — Bidirectional high density GaN CCM totem pole PFC using C2000™ MCU

このリファレンス・デザインは、3.kW の双方向、インターリーブ形式の連続導通モード (CCM) トーテムポール (TTPL) ブリッジレス力率補正 (PFC) 電力段であり、C2000™ リアルタイム制御コントローラと、ドライバや保護機能を統合した GaN (窒化ガリウム) である LMG3410R070 を使用しています。 この電源トポロジは、双方向の電源フロー (PFC とグリッド接続型インバータ) に対応する能力があるほか、LMG341x GaN (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWW) 16 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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