LMG3422EVM-043

LMG3422R030 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード

LMG3422EVM-043

購入

概要

LMG3422EVM-043 は、2 個の LMG3422R030 GaN FET によるハーフ・ブリッジ構成に、ラッチ型過電流保護機能を実装し、必要とされるすべての補助ペリフェラル回路を組み合わせています。この EVM は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。

特長
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG342XR0XX の性能を評価するシンプルなオープン・ループ設計
  • 可変デッドタイムの PWM 信号に対応するオンボードのシングル / デュアル PWM 入力
  • サイクルごとの過電流保護機能
  • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブによる、ロジックと出力段測定のための利便性の高いプローブ点
GaN (窒化ガリウム) IC
LMG3422R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET

購入と開発の開始

ハードウェア、ソフトウェア、資料のパッケージ詳細

ハードウェアとソフトウェアのパッケージ

Evaluating LMG3422R030 GaN FET power stage

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ドーター・カード

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* ユーザー・ガイド LMG342XEVM-04X User Guide (Rev. B) PDF | HTML 2022年 1月 30日
ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETN 2021年 3月 18日
ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETK 2021年 3月 18日
ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETs 2021年 1月 5日
証明書 LMG3422EVM-043 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020年 10月 26日

サポートとトレーニング

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