PMP31333
SiC と GaN 駆動電源向け強化絶縁型 LLC コンバータのリファレンス デザイン
PMP31333
概要
この小型フォーム ファクタの電源は、広帯域ギャップ スイッチなど、二次側で非常に高い dV/dT が予想される場合に、絶縁型シリコン カーバイド (SiC) または 窒化ガリウム (GaN) MOSFET ゲート ドライバにバイアス電力を供給します。このボードは 24V の入力を受け入れ、200mA で 12V を供給します。一次側から二次側への巻線の低キャパシタンスと組み合わされた共振インダクタ インダクタ コンデンサ (LLC) トポロジにより、このコンバータは低ノイズで同相過渡耐性 (CMTI) の高いアプリケーションに適したオプションとなり、同時にトランスを通して同相電流の注入を低減します。この絶縁型 LLC コンバータは開ループで動作しますが、出力電圧は VIN をトラッキングし続け、負荷電流に対する変動は非常に小さくなります。
特長
- 強化絶縁
- 一次側 / 二次側巻線の非常に小さいキャパシタンス
- 24VIN を 12VOUT に安定化
- 30µF のスイッチ出力キャパシタンス (ハイサイド GaN または SiC-FET を最初に起動) を使用してテスト済み
- 共振 (二次側) LLC トポロジ
| 出力電圧オプション | PMP31333.1 |
|---|---|
| Vin（最小）（V） | 22 |
| Vin（最大）（V） | 26 |
| Vout (Nom) (V) | 12 |
| Iout（最大）（V） | .2 |
| 出力電力（W） | 2.4 |
| 絶縁/非絶縁 | Isolated |
| 入力タイプ | DC |
| トポロジ | Half Bridge- Resonant |
組み立てられたボードは、テストと性能検証のみの目的で開発されたものであり、販売していません。
設計ファイルと製品
設計ファイル
すぐに使用できるシステム ファイルをダウンロードすると、設計プロセスを迅速化できます。
TIDMDW1.PDF (413 KB)
設計に使用したコンポーネント、参照指定子、メーカー名や型番などを記入した詳細なリスト
製品
設計や代替製品候補に TI 製品を含めます。
技術資料
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| タイプ | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 試験報告書 | Reinforced-Isolation LLC Converter Reference Design for SiC and GaN Driving Supply | PDF | HTML | 2025/02/25 |