PMP41078
GaN HEMT를 지원하는 고전압-저전압 DC-DC 컨버터 레퍼런스 설계
PMP41078
개요
이 레퍼런스 설계는 650V 질화 갈륨(GaN) 하이 전자 모빌리티 트랜지스터(HEMT)를 지원하는 3.5kW 고전압-저전압 DC 컨버터를 설명합니다. LMG3522R030을 기본 스위치로 사용하여 컨버터는 높은 스위칭 주파수에서 작동합니다. 이 설계에서 컨버터는 더 작은 크기의 변압기를 사용합니다. 액티브 클램핑 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 열 성능을 완화하기 위해 컨버터는 2채널 액티브 클램핑 회로를 사용합니다.
특징
- LMG3522를 사용하고 C29 MCU(마이크로컨트롤러 유닛)을 사용하여 제어되는 GaN 기반 위상 전환 풀 브리지(PSFB)
- 200kHz 스위칭 주파수, 자기 크기는 100kHz보다 35% 작습니다.
- 200kHz에서 95.48%, 400V VIN, 13.5V Vout, 약 1kW
- 고주파 시나리오 및 낮은 동기 정류기(SR) MOSFET 전압 응력을 위한 듀얼 능동 클램핑 회로
- 저부하 효율성 최적화는 최대 5% 효율성을 촉진
| 출력 전압 옵션 | PMP41078.1 |
|---|---|
| 입력 전압(최소)(V) | 200 |
| 입력 전압(최대)(V) | 450 |
| Vout(공칭값) (V) | 14 |
| Iout(최대)(A) | 250 |
| 출력 전력(W) | 3500 |
| 절연/비절연 | Isolated |
| 입력 유형 | DC |
| 토폴로지 | Full Bridge- Phase Shifted |
완조립 보드는 테스팅과 성능 검증을 위해서만 개발되었으며 판매를 위한 것이 아닙니다.
설계 파일 및 제품
설계 파일
바로 사용 가능한 시스템 파일을 다운로드하여 설계 프로세스에 속도를 높여 보십시오.
TIDT403A.PDF (2789 KB)
효율성 그래프, 테스트 전제 조건 등을 포함한 레퍼런스 디자인에 대한 테스트 결과
TIDMD81B.ZIP (440 KB)
설계 구성요소, 참조 지정자 및 제조업체/부품 번호의 전체 목록
제품
TI 제품을 설계 및 잠재적 대안에 포함합니다.
이상적인 다이오드 및 오링 컨트롤러
LM74202-Q1 — 통합 FET가 있는 4.2V~40V, 2.2A 300uA IQ 오토모티브 이상적 다이오드
저압측 드라이버
UCC27332-Q1 — Automotive 20V VDD, 9A/9A single-channel driver and enable
C2000 실시간 마이크로컨트롤러
TMS320F28P659DK-Q1 — C2000™ 32비트 MCU, 2x C28x+CLA CPU, 잠금 단계, 1.28MB 플래시, 16b ADC, HRPWM, CAN-FD, AES
기술 자료
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TI에서 선정한 인기 문서
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2개 모두 보기
| 유형 | 직함 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| * | 테스트 보고서 | High-Voltage to Low-Voltage DC-DC Converter Reference Design With GaN HEMT (Rev. A) | PDF | HTML | 2024. 12. 9 | |
| 기술 문서 | 높은 스위칭 주파수에서 정류기용 액티브 클램프 회로 설계 | PDF | HTML | Download English Version | 2025. 8. 13 |