LMG3522R030
- 650-V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
- Integrated high precision gate bias voltage
- 200-V/ns FET hold-off
- 2-MHz switching frequency
- 20-V/ns to 150-V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
- Operates from 7.5-V to 18-V supply
- Robust protection
- Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100-ns response
- Withstands 720-V surge while hard-switching
- Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
- Advanced power management
- Digital temperature PWM output
- Top-side cooled 12-mm × 12-mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
The LMG3522R030 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
The LMG3522R030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150 V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TIs low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20 V/ns to 150 V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.
Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring.
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비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀
기술 문서
유형 | 직함 | 날짜 | ||
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* | Data sheet | LMG3522R030 650-V 30-mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet | PDF | HTML | 2022/04/25 |
Application note | Implementation of Single-Phase Off-Grid Inverter With Digital Control Using PLECS Simulation | PDF | HTML | 2024/04/15 | |
Technical article | 높은 회전율로 부하 과도 테스트 | PDF | HTML | 2024/03/20 | |
Analog Design Journal | 고밀도 GaN 최적화 PFC 컨버터에서 AC 드롭아웃 복구 문제 해결 | PDF | HTML | 2024/03/18 | |
Technical article | The benefits of GaN for battery test systems | PDF | HTML | 2022/10/07 |
설계 및 개발
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LMG3522EVM-042 — 드라이버 부속 카드가 통합된 LMG3522R030-Q1 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET
LMG3522EVM-042는 하프 브리지에서 LMG3522R030 GaN FET 2개를 구성하며, 사이클별 과전류 보호 기능, 래치형 단락 보호 기능 및 모든 필요 보조 주변 회로를 갖고 있습니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.
LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model
SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
지원되는 제품 및 하드웨어
제품
Gallium nitride (GaN) power stages
SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
지원되는 제품 및 하드웨어
제품
Gallium nitride (GaN) power stages
PMP23338 — 전자 계량기 기능을 지원하는 3.6kW, 단상 토템 폴 브리지리스 PFC 레퍼런스 설계
PMP40988 — 가변 주파수, ZVS, 5kW, GaN 기반, 2상 토템 폴 PFC 레퍼런스 설계
TIDA-010938 — 7.2-kW, GaN-based single-phase string inverter with battery energy storage system reference design
PMP23069 — 16A 최대 입력을 지원하는 3kW, 180W/in3 단상 토템 폴 브리지리스 PFC 레퍼런스 설계
PMP23126 — 전력 밀도가 270W/in33kW를 초과하는 액티브 클램프 레퍼런스 설계를 반영한 3kW 위상 전환 풀 브리지
PMP22951 — 능동 클램프 참조 설계를 적용한 54V, 3kW 위상 변이 풀 브리지
PMP23249 — 650V 30mΩ GaN FET 부속 카드 레퍼런스 설계
패키지 | 핀 | 다운로드 |
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VQFN (RQS) | 52 | 옵션 보기 |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
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- 인증 요약
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- 조립 위치