LMG3522R030
- 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
- Integrated high precision gate bias voltage
- 200V/ns FET hold-off
- 2MHz switching frequency
- 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
- Operates from 7.5V to 18V supply
- Robust protection
- Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
- Withstands 720V surge while hard-switching
- Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
- Advanced power management
- Digital temperature PWM output
- LMG3526R030 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
- Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
The LMG352xR030 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
The LMG352xR030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TIs low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3526R030 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.
Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.
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비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀
기술 자료
유형 | 직함 | 날짜 | ||
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* | Data sheet | LMG352xR030 650 V 30 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2024/05/23 |
Application note | Implementation of Single-Phase Off-Grid Inverter With Digital Control Using PLECS Simulation | PDF | HTML | 2024/04/15 | |
Technical article | 높은 회전율로 부하 과도 테스트 | PDF | HTML | 2024/03/20 | |
Analog Design Journal | 고밀도 GaN 최적화 PFC 컨버터에서 AC 드롭아웃 복구 문제 해결 | PDF | HTML | 2024/03/18 | |
Technical article | The benefits of GaN for battery test systems | PDF | HTML | 2022/10/07 |
설계 및 개발
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LMG3522EVM-042 — 드라이버 부속 카드가 통합된 LMG3522R030-Q1 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET
LMG3522EVM-042는 하프 브리지에서 LMG3522R030 GaN FET 2개를 구성하며, 사이클별 과전류 보호 기능, 래치형 단락 보호 기능 및 모든 필요 보조 주변 회로를 갖고 있습니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.
LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model
SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
지원되는 제품 및 하드웨어
제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
지원되는 제품 및 하드웨어
제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
TIDA-010938 — 배터리 에너지 저장 시스템 레퍼런스 설계가 포함된 10kW, GaN 기반 단상 스트링 인버터
PMP41078 — GaN HEMT를 지원하는 고전압-저전압 DC-DC 컨버터 레퍼런스 설계
PMP22951 — 능동 클램프 참조 설계를 적용한 54V, 3kW 위상 변이 풀 브리지
PMP23338 — 전자 계량기 기능을 지원하는 3.6kW, 단상 토템 폴 브리지리스 PFC 레퍼런스 설계
PMP40988 — 가변 주파수, ZVS, 5kW, GaN 기반, 2상 토템 폴 PFC 레퍼런스 설계
PMP23069 — 16A 최대 입력을 지원하는 3kW, 180W/in3 단상 토템 폴 브리지리스 PFC 레퍼런스 설계
PMP23126 — 전력 밀도가 270W/in33kW를 초과하는 액티브 클램프 레퍼런스 설계를 반영한 3kW 위상 전환 풀 브리지
PMP23249 — 650V 30mΩ GaN FET 부속 카드 레퍼런스 설계
패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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VQFN (RQS) | 52 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치