TIDA-01605
2레벨 끄기 보호 기능을 갖춘 차량용 듀얼 채널 SiC MOSFET 게이트 드라이버 레퍼런스 설계
TIDA-01605
개요
이 레퍼런스 설계는 SiC(실리콘 카바이드) MOSFET을 하프 브리지 구성으로 구동하기 위한 차량용 등급 절연 게이트 드라이버 솔루션입니다. 이 설계에는 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버에 각각 2개의 푸시 풀 바이어스 전원 공급 장치가 포함되어 있으며, 각 공급 장치는 +15V 및 -4V 출력 전압과 1W 출력 전력을 제공합니다. 게이트 드라이버는 4A 소스 및 6A 싱크 피크 전류를 공급할 수 있습니다. 강화 절연을 구현하며, 8kV 피크 및 5.7kV RMS 절연 전압 및 100V/ns를 초과하는 공통 모드 과도 내성(CMTI)을 견딜 수 있습니다. 레퍼런스 설계에는 2단계 끄기 회로가 포함되어 있어 단락 시나리오 중에 MOSFET을 전압 오버슈트로부터 보호합니다. DESAT 감지 임계값과 두 번째 단계 턴오프의 지연 시간을 구성할 수 있습니다. ISO7721-Q1 디지털 아이솔레이터는 고장 및 재설정 신호를 연결하기 위해 구현됩니다. 모두 40mm × 40mm의 소형 폼 팩터를 갖춘 2계층 PCB 보드에 설계됩니다.
특징
- 하프 브리지 구성으로 SiC MOSFET을 구동하기 위한 소형 듀얼 채널, 게이트 드라이버 솔루션
- 최대 500kHz 스위칭 주파수로 SiC MOSFET, Si MOSFET 및 IGBT를 구동하는 데 적합한 4A 소스 및 6V 싱크 피크 전류 구동 기능
- 15V 및 –4V 출력을 지원하는 소형 고효율 절연 바이어스 전원 내장
- 단락 보호를 위한 개별 2단계 턴오프, 조정 가능한 전류 제한 및 지연(블랭킹) 시간 포함
- 100V/ns를 초과하는 높은 CMTI와 8kV 피크 및 5.7kV RMS 전압의 강화 절연 기능
완조립 보드는 테스팅과 성능 검증을 위해서만 개발되었으며 판매를 위한 것이 아닙니다.
설계 파일 및 제품
설계 파일
바로 사용 가능한 시스템 파일을 다운로드하여 설계 프로세스에 속도를 높여 보십시오.
TIDRVT4A.PDF (54 KB)
설계 구성요소, 참조 지정자 및 제조업체/부품 번호의 전체 목록
제품
TI 제품을 설계 및 잠재적 대안에 포함합니다.
절연 게이트 드라이버
UCC21530-Q1 — IGBT/SiC용 EN 및 DT 핀이 있는 오토모티브, 4A, 6A, 5.7kVRMS 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버
선형 및 저손실(LDO) 레귤레이터
TPS7B69-Q1 — 오토모티브 150mA, 오프 배터리(40V), 높은 PSRR, 낮은 IQ, 저손실 전압 레귤레이터
기술 자료
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TI에서 선정한 인기 문서
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3개 모두 보기
| 유형 | 직함 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| * | 설계 가이드 | Automotive Dual-Channel, SiC MOSFET Gate Driver Reference Design (Rev. B) | 2020. 6. 3 | ||
| 백서 | Circuit Board Insulation Design According to IEC60664 for Motor Drive Apps | PDF | HTML | 2023. 8. 31 | ||
| 백서 | High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies | 2014. 10. 16 |