LM5113LLPEVB
用於強化模式 GaN FET 的 LM5113 100V、1.2A/5A 半橋閘極驅動器評估模組
LM5113LLPEVB
概覽
LM5113 評估板旨在為設計工程師提供同步降壓轉換器，以評估 LM5113 這款 100V 半橋強化模式氮化鎵 (GaN) FET 驅動器。主動箝位電壓模式控制器 LM5025 用於產生降壓開關與同步開關的 PWM 訊號。
特點
目錄：
- 已組裝的 LM5113 評估板
- LM5113 應用說明 2149
半橋式驅動器
訂購並開始開發
開發板
LM5113LLPEVB/NOPB — LM5113 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs Evaluation Module
LM5113LLPEVB/NOPB — LM5113 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs Evaluation Module
設計檔案
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| 重要文件 | 類型 | 標題 | 格式選項 | 下載最新的英文版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | EVM User's guide | AN-2149 LM5113 Evaluation Board User's Guide (Rev. B) | PDF | HTML | 2024/3/27 | ||
| 證書 | LM5113LLPEVB/NOPB EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019/1/2 |