LMG1210EVM-012
LMG1210 半橋開迴路評估模組
LMG1210EVM-012
概覽
LMG1210EVM-012 旨在用於評估適用於 GaN FET 的 LMG1210 百萬赫級 200V 半橋式驅動器。此 EVM 包含兩個配置在同一半橋中的氮化鎵 FET，這兩個 FET 由單一 LMG1210 驅動。此板上無控制器。
特點
- 展示驅動器的高頻能力
- 展示驅動器的高 CMTI 耐受性
- 展示驅動器卓越的傳播和匹配能力以及驅動強度
- 展示失效時間區塊功能及對效率的正面影響
- 這是一款可訂購的 PCB（硬體），用於展示適用於雷射的驅動級，其中雷射用於 D 類音訊、封包追蹤和高頻 DCDC 應用中。
半橋式驅動器
設計檔案
技術文件
=
TI 所選的重要文件
找不到結果。請清除您的搜尋條件，然後再試一次。
檢視所有 2
| 類型 | 標題 | 下載最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | EVM User's guide | Using the LMG1210EVM-012 300 V Half-Bridge Driver for GaN | 2018/1/29 | |||
| 證書 | LMG1210EVM-012 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019/1/2 |