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LMG1210

現行

適用 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5-A、3-A、200-V 半橋閘極驅動器、5-V UVLO 和可編程失效時間

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產品規格表

LMG1210

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產品詳細資料

Bootstrap supply voltage (max) (V) 300 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.01 Rise time (ns) 0.5 Fall time (ns) 0.5 Iq (mA) 0.3 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Bootstrap supply voltage clamp, Dead time control, Internal LDO, Resistor-controllable deadtime Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 300 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.01 Rise time (ns) 0.5 Fall time (ns) 0.5 Iq (mA) 0.3 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Bootstrap supply voltage clamp, Dead time control, Internal LDO, Resistor-controllable deadtime Driver configuration Half bridge
WQFN (RVR) 19 12 mm² 4 x 3
  • Up to 50-MHz operation
  • 10-ns typical propagation delay
  • 3.4-ns high-side to low-side matching
  • Minimum pulse width of 4 ns
  • Two control input options
    • Single PWM input with adjustable dead time
    • Independent input mode
  • 1.5-A peak source and 3-A peak sink currents
  • External bootstrap diode for flexibility
  • Internal LDO for adaptability to voltage rails
  • High 300-V/ns CMTI
  • HO to LO capacitance less than 1 pF
  • UVLO and overtemperature protection
  • Low-inductance WQFN package
  • Up to 50-MHz operation
  • 10-ns typical propagation delay
  • 3.4-ns high-side to low-side matching
  • Minimum pulse width of 4 ns
  • Two control input options
    • Single PWM input with adjustable dead time
    • Independent input mode
  • 1.5-A peak source and 3-A peak sink currents
  • External bootstrap diode for flexibility
  • Internal LDO for adaptability to voltage rails
  • High 300-V/ns CMTI
  • HO to LO capacitance less than 1 pF
  • UVLO and overtemperature protection
  • Low-inductance WQFN package

The LMG1210 is a 200-V, half-bridge MOSFET and Gallium Nitride Field Effect Transistor (GaN FET) driver designed for ultra-high frequency, high-efficiency applications that features adjustable deadtime capability, very small propagation delay, and 3.4-ns high-side low-side matching to optimize system efficiency. This part also features an internal LDO which ensures a gate-drive voltage of 5-V regardless of supply voltage.

To enable best performance in a variety of applications, the LMG1210 allows the designer to choose the optimal bootstrap diode to charge the high-side bootstrap capacitor. An internal switch turns the bootstrap diode off when the low side is off, effectively preventing the high-side bootstrap from overcharging and minimizing the reverse recovery charge. Additional parasitic capacitance across the GaN FET is minimized to less than 1 pF to reduce additional switching losses.

The LMG1210 features two control input modes: Independent Input Mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is independently controlled by a dedicated input. In PWM mode the two complementary output signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time from 0 to 20 ns for each edge. The LMG1210 operates over a wide temperature range from –40°C to 125°C and is offered in a low-inductance WQFN package.

The LMG1210 is a 200-V, half-bridge MOSFET and Gallium Nitride Field Effect Transistor (GaN FET) driver designed for ultra-high frequency, high-efficiency applications that features adjustable deadtime capability, very small propagation delay, and 3.4-ns high-side low-side matching to optimize system efficiency. This part also features an internal LDO which ensures a gate-drive voltage of 5-V regardless of supply voltage.

To enable best performance in a variety of applications, the LMG1210 allows the designer to choose the optimal bootstrap diode to charge the high-side bootstrap capacitor. An internal switch turns the bootstrap diode off when the low side is off, effectively preventing the high-side bootstrap from overcharging and minimizing the reverse recovery charge. Additional parasitic capacitance across the GaN FET is minimized to less than 1 pF to reduce additional switching losses.

The LMG1210 features two control input modes: Independent Input Mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is independently controlled by a dedicated input. In PWM mode the two complementary output signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time from 0 to 20 ns for each edge. The LMG1210 operates over a wide temperature range from –40°C to 125°C and is offered in a low-inductance WQFN package.
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設計與開發

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開發板

LMG1210EVM-012 — LMG1210 半橋開迴路評估模組

LMG1210EVM-012 旨在用於評估適用於 GaN FET 的 LMG1210 百萬赫級 200V 半橋式驅動器。此 EVM 包含兩個配置在同一半橋中的氮化鎵 FET，這兩個 FET 由單一 LMG1210 驅動。此板上無控制器。
使用指南: PDF
TI.com 無法提供
模擬型號

LMG1210 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM615C.ZIP (22427 KB) - PSpice Model
下載
模擬型號

LMG1210 TINA-TI Reference Design (Rev. C)

SNOM617C.TSC (610 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
模擬型號

LMG1210 Unencrypted PSPICE Transient Model

SNOM677.ZIP (7 KB) - PSpice Model
下載
CAD/CAE 符號

LMG1210 Altium Deisgn Files

SNOR026.ZIP (3265 KB)
下載
計算工具

SNOR035 — LMG1210 Component Design Calculator and Schematic Review

支援產品和硬體

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產品
半橋式驅動器
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參考設計

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封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
WQFN (RVR) 19 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
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  • 鉛塗層/球物料
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