LMG3411EVM-029

具有逐週期過電流保護半橋子卡的 LMG3411R070 600-V 70-mΩ GaN

LMG3411EVM-029

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LMG3411EVM-029 配置半橋中兩個 LMG3411R070 GaN FET,並具備逐週期過電流防護和所有必要輔助周邊電路。此 EVM 設計旨在搭配較大型系統運作。

特點
  • 輸入電壓運作最多 600V
  • 簡易的開迴路設計可評估 LMG3411R070 的性能
  • 板載單 PWM 輸入,具 50 ns 失效時間,可用於 PWM 訊號
  • 逐週期過電流防護功能
  • 使用具有短接地彈簧探針的示波器探針,提供方便的邏輯和功率級測量探針點
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3411R070 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN
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子卡

LMG3411EVM-029 — LMG3411R070 600-V 70-mΩ GaN with cycle-by-cycle overcurrent protection half-bridge daughter card

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為什麼我需要此項? This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
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LMG34XX-BB-EVM 適用於 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統級評估主機板
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LMG3411EVM-029 LMG3411R070 600-V 70-mΩ GaN with cycle-by-cycle overcurrent protection half-bridge daughter card

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LMG34XX-BB-EVM 適用於 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統級評估主機板
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LMG34XX-BB-EVM — 適用於 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統級評估主機板

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為什麼我需要此項? This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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LMG3410-HB-EVM LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半橋子板 LMG3410EVM-018 LMG3410R050 600-V 50-mΩ GaN 半橋子板 LMG3410EVM-031 LMG3410R150 600-V 150-mΩ GaN 半橋子板 LMG3411EVM-018 具有逐週期過電流保護半橋子卡的 LMG3411R050 600-V 50mΩ GaN LMG3411EVM-029 具有逐週期過電流保護半橋子卡的 LMG3411R070 600-V 70-mΩ GaN LMG3411EVM-031 具有逐週期過電流保護半橋子卡的 LMG3411R150 600-V 150-mΩ GaN
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LMG3410-HB-EVM LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半橋子板 LMG3410EVM-018 LMG3410R050 600-V 50-mΩ GaN 半橋子板 LMG3410EVM-031 LMG3410R150 600-V 150-mΩ GaN 半橋子板 LMG3411EVM-018 具有逐週期過電流保護半橋子卡的 LMG3411R050 600-V 50mΩ GaN LMG3411EVM-029 具有逐週期過電流保護半橋子卡的 LMG3411R070 600-V 70-mΩ GaN LMG3411EVM-031 具有逐週期過電流保護半橋子卡的 LMG3411R150 600-V 150-mΩ GaN
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* EVM User's guide Using the LMG3411R070EVM Half-Bridge and LMG34XXBB-EVM Breakout Board EVM 2018/10/24

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