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設計與開發

LMG3410-HB-EVM

LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半橋子板

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LMG34XX-BB-EVM 是一款易於使用的分接板，可當作同步降壓轉換器配置任何 LMG34XX 半橋電路板，例如 LMG3410-HB-EVM。  透過提供功率級、偏壓電源和邏輯電路，此 EVM 可快速測量 GaN 裝置切換。  此 EVM 能夠提供最高 8 A 的輸出電流，運用適當的溫度管理 (強制空氣、低頻率運作等)，確保不超過最高運作溫度。  EVM 屬於開迴路電路板，不適合執行瞬態量測。
只需要單脈衝寬度調變輸入，具有互補脈衝寬度調變訊號，和板上產生的對應失效時間。  使用具有短接地彈簧的示波器探針，提供探針點來測量主要邏輯和功率級波形。
 
LMG3410-HB-EVM 配置半橋中兩個 LMG3410R070 GaN FET 與所有必要輔助周邊電路。  此 EVM 旨在與較大型系統，例如 LMG34XX-BB-EVM 或客製設計功率級搭配運作。  透過在高效能配置上提供   LMG3410R070 及便利的連接點，可快速輕鬆地實現運作和電路量測。

由於包括所有必要的電路，因此無需位準偏移或隔離。  輔助偏壓可以兩種方式產生，預設情況下，隔離電源只需一個 5V 輸入，可配置為在 12V 引導模式下執行。  裸露銅墊幫助散熱器組件，以實現更高的功耗。

特點
  • 輸入電壓運作最多 600V
  • 簡易的開迴路設計可評估   LMG3410R070 的性能
  • 板載單 PWM 輸入，具 50 ns 失效時間，可用於 PWM 訊號
  • 使用具有短接地彈簧探針的示波器探針，提供方便的邏輯和功率級測量探針點

  • LMG3410-HB-EVM
數位隔離器
ISO7831 — 最高隔離額定值、三通道、2/1、強化型數位隔離器

 

氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3410R070 — 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN
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LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN half-bridge daughter card

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為什麼我需要此項? This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
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LMG34XX-BB-EVM — 適用於 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統級評估主機板
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為什麼我需要此項? This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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* EVM User's guide Using the LMG3410-HB-EVM Half-Bridge and LMG34XX-BB-EVM Breakout Board EVM (Rev. A) 2017/5/3
證書 LMG3410-HB-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2019/1/2
技術文章 Is integrated GaN changing the conventional wisdom? PDF | HTML 2016/10/7

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