LMG3410-HB-EVM

LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半橋子板

LMG3410-HB-EVM

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LMG34XX-BB-EVM 是一款易於使用的分接板,可當作同步降壓轉換器配置任何 LMG34XX 半橋電路板,例如 LMG3410-HB-EVM。  透過提供功率級、偏壓電源和邏輯電路,此 EVM 可快速測量 GaN 裝置切換。  此 EVM 能夠提供高達 8 A 的輸出電流,運用適當的溫度管理 (強制空氣、低頻率運作等),確保不超過最高運作溫度。  EVM 屬於開迴路電路板,不適合執行瞬態量測。
只需要單脈衝寬度調變輸入,具有互補脈衝寬度調變訊號,和板上產生的對應失效時間。  使用具有短接地彈簧的示波器探針,提供探針點來測量主要邏輯和功率級波形。
LMG3410-HB-EVM 評估模組採用兩顆 LMG3410R070 GaN FET,配置成半橋式電路,並整合所有必要的輔助週邊電路。  此 EVM 設計用於與大型系統配合工作,例如 LMG34XX-BB-EVM 評估模組或客製化設計的功率級電路。  此評估模組採用高性能佈局配置 LMG3410R070 元件,並提供便利的連接點,可快速簡易地實現操作與在線測量功能。

由於已整合所有必要電路,因此無需額外的位準偏移或隔離設計。  輔助偏壓可透過兩種方式產生:預設採用僅需單一 5V 輸入的隔離電源,亦可配置為從 12V 電源以自舉模式運作。  配置裸露銅墊供散熱片組裝使用,可實現更高功率耗散能力。

特點
  • 輸入電壓運作最多 600V
  • 簡易的開迴路設計可評估 LMG3410R070 的性能
  • 板載單 PWM 輸入,具 50 ns 失效時間,可用於 PWM 訊號
  • 使用具有短接地彈簧探針的示波器探針,提供方便的邏輯和功率級測量探針點

  • LMG3410-HB-EVM

數位隔離器
ISO7831 最高隔離額定值、三通道、2/1、強化型數位隔離器

 

氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3410R070 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3411R050 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN
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LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN half-bridge daughter card

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為什麼我需要此項? This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
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LMG34XX-BB-EVM 適用於 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統級評估主機板
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為什麼我需要此項? This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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* EVM User's guide Using the LMG3410-HB-EVM Half-Bridge and LMG34XX-BB-EVM Breakout Board EVM (Rev. A) 2017/5/3
證書 LMG3410-HB-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2019/1/2
技術文章 Is integrated GaN changing the conventional wisdom? PDF | HTML 2016/10/7

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