PMP41078
具有 GaN HEMT 的高電壓至低電壓 DC-DC 轉換器參考設計
PMP41078
概覽
此參考設計描述了一款具有 650V 氮化鎵 (GaN) 高電子移動率電晶體 (HEMT) 的 3.5kW 高電壓至低電壓 DC-DC 轉換器。使用 LMG3522R030 作為一次側開關可使轉換器在高切換頻率下工作。在此設計中，轉換器使用較小尺寸的變壓器。為了緩解主動箝位金屬氧化物半導體場效應電晶體 (MOSFET) 的熱性能，該轉換器使用雙通道主動箝位電路。
特點
- 基於 GaN 的相移全橋 (PSFB) 採用 LMG3522，並使用 C29 微控制器單元 (MCU) 進行控制
- 切換頻率為 200kHz，磁性尺寸相較於 100kHz 減少 35%
- 200kHz、400V Vin、13.5V Vout 時為 95.48%，約 1kW
- 雙主動箝位電路，適用於高頻率場景與低同步整流器 (SR) MOSFET 電壓應力
- 輕載效率最佳化，效率最高提升 5%
| 輸出電壓選項 | PMP41078.1 |
|---|---|
| Vin (最小值) (V) | 200 |
| Vin (最大值) (V) | 450 |
| Vout (Nom) (V) | 14 |
| Iout (最大) (A) | 250 |
| 輸出功率 (W) | 3500 |
| 隔離式/非隔離式 | Isolated |
| 輸入類型 | DC |
| 拓撲結構 | Full Bridge- Phase Shifted |
已開發完全組裝的電路板，僅供測試與性能驗證，且為非賣品。
設計檔案與產品
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產品
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C2000 即時微控制器
TMS320F28P659DK-Q1 — C2000™ 32 位元 MCU、2x C28x+CLA CPU、鎖階、1.28-MB 快閃記憶體、16-b ADC、HRPWM、CAN-FD、AES
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| 類型 | 標題 | 下載最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 測試報告 | High-Voltage to Low-Voltage DC-DC Converter Reference Design With GaN HEMT (Rev. A) | PDF | HTML | 2024/12/9 | ||
| 技術文章 | 為高切換頻率下的整流器設計主動箝位電路 | PDF | HTML | Download English Version | 2025/8/13 |