應用氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體(FET)在主動鉗位反馳式電源轉換器之比較與設計考量 - 2 | Video | TI.com

應用氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體(FET)在主動鉗位反馳式電源轉換器之比較與設計考量 - 2

00:13:11 | 11 APR 2020

就氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體的兩者應用，進行深入的探討，帶大家瞭解非線性影響、平衡、比較以及解決方案。

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