應用氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體(FET)在主動鉗位反馳式電源轉換器之比較與設計考量 - 2
00:13:11
|
11 APR 2020
就氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體的兩者應用,進行深入的探討,帶大家瞭解非線性影響、平衡、比較以及解決方案。
資源
本影片屬於系列影片
-
2020 TI 電源傳輸、測試與量測技術網路研討會
video-playlist (6 videos)