JAJSME9A July   2023  – September 2023 LM74912-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 標準的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 チャージ・ポンプ
      2. 8.3.2 デュアル・ゲート制御 (DGATE、HGATE)
        1. 8.3.2.1 バッテリ逆接続保護 (A、C、DGATE)
        2. 8.3.2.2 負荷切断スイッチ制御 (HGATE、OUT)
      3. 8.3.3 短絡保護 (CS+、CS-、ISCP)
      4. 8.3.4 過電圧保護およびバッテリ電圧センシング (SW、OV、UVLO)
      5. 8.3.5 低 IQ SLEEP モード (SLEEP、SLEEP_OV)
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 12V (代表値) バッテリ逆接続保護アプリケーション
      1. 9.2.1 12V バッテリ保護の設計要件
      2. 9.2.2 車載バッテリ逆接続保護
        1. 9.2.2.1 入力過渡保護：ISO 7637-2 パルス 1
        2. 9.2.2.2 AC 重畳入力の整流：ISO 16750-2 および LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 入力マイクロ短路保護：LV124 E-10
      3. 9.2.3 詳細な設計手順
        1. 9.2.3.1 設計上の考慮事項
        2. 9.2.3.2 チャージ・ポンプ容量 VCAP
        3. 9.2.3.3 入力、電源、および出力容量
        4. 9.2.3.4 ホールドアップ容量
        5. 9.2.3.5 過電圧保護とバッテリ監視
        6. 9.2.3.6 短絡電流スレッショルドの選択
          1. 9.2.3.6.1 短絡保護用のスケーリング抵抗 RSET と RISCP の選択
      4. 9.2.4 MOSFET の選択：ブロッキング MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET の選択：ホットスワップ MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS の選択
      7. 9.2.7 アプリケーション曲線
    3. 9.3 設計のベスト・プラクティス
    4. 9.4 電源に関する推奨事項
      1. 9.4.1 過渡保護
      2. 9.4.2 12V バッテリ・システム用の TVS の選択
      3. 9.4.3 24V バッテリ・システム用の TVS の選択
    5. 9.5 レイアウト
      1. 9.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.5.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 商標
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.3.1 チャージ・ポンプ

チャージ・ポンプは、外部の N チャネル MOSFET の駆動に必要な電圧を供給します。CAP ピンと VS ピンの間に外付けチャージ・ポンプ・コンデンサを配置して、外部 MOSFET をオンにするための電力を供給します。チャージ・ポンプが外部コンデンサに電流を供給するには、EN および SLEEP ピンの電圧が、指定された入力 High スレッショルドよりも高い必要があります。イネーブルにすると、チャージ・ポンプは標準値 4mA の充電電流を供給します。EN または SLEEP ピンが Low にプルされると、チャージ・ポンプはディセーブルのままです。外部 MOSFET を規定のスレッショルド電圧よりも高く駆動できるように、内部ゲート・ドライバがイネーブルになる前に、CAP から VS への電圧が低電圧誤動作防止スレッショルド (標準 6.6V) よりも高くなっている必要があります。ゲート・ドライバの初期イネーブル遅延を計算するには、式 3 を使用します。

式 1. GUID-20230630-SS0I-FZMW-SPJC-9XKP70WZ6VQW-low.svg

ここで、

  • C(CAP) は、VS ピンと CAP ピンの間に接続されているチャージ・ポンプ容量です
  • V(CAP_UVLOR) = 6.6V (標準値)

ゲート・ドライブのチャタリングを除去するには、VCAP 低電圧誤動作防止に約 1V のヒステリシスを加えます。チャージ・ポンプは、CAP から VS への電圧が標準 13.2V に達するまでイネーブルに維持され、この時点でチャージ・ポンプはディセーブルされ、VS ピンに流れる電流が減少します。CAP から VS への電圧が標準 12.2V を下回るまで、チャージ・ポンプはディセーブルのまま維持され、その時点でチャージ・ポンプはイネーブルになります。図 8-1 に示すように、CAP と VS の間の電圧は 12.2V～13.2V の間で充電および放電を継続します。チャージ・ポンプをイネーブル / ディセーブルすることで、LM74912-Q1 の動作時静止電流が減少します。チャージ・ポンプがディセーブルになると、15μA の電流をシンクします。

GUID-20230630-SS0I-QS99-1ZB9-PQMWRFXSBRFN-low.svg図 8-1 チャージ・ポンプ動作