JAJSME9A July   2023  – September 2023 LM74912-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 標準的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 チャージ・ポンプ
      2. 8.3.2 デュアル・ゲート制御 (DGATE、HGATE)
        1. 8.3.2.1 バッテリ逆接続保護 (A、C、DGATE)
        2. 8.3.2.2 負荷切断スイッチ制御 (HGATE、OUT)
      3. 8.3.3 短絡保護 (CS+、CS-、ISCP)
      4. 8.3.4 過電圧保護およびバッテリ電圧センシング (SW、OV、UVLO)
      5. 8.3.5 低 IQ SLEEP モード (SLEEP、SLEEP_OV)
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 12V (代表値) バッテリ逆接続保護アプリケーション
      1. 9.2.1 12V バッテリ保護の設計要件
      2. 9.2.2 車載バッテリ逆接続保護
        1. 9.2.2.1 入力過渡保護：ISO 7637-2 パルス 1
        2. 9.2.2.2 AC 重畳入力の整流：ISO 16750-2 および LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 入力マイクロ短路保護：LV124 E-10
      3. 9.2.3 詳細な設計手順
        1. 9.2.3.1 設計上の考慮事項
        2. 9.2.3.2 チャージ・ポンプ容量 VCAP
        3. 9.2.3.3 入力、電源、および出力容量
        4. 9.2.3.4 ホールドアップ容量
        5. 9.2.3.5 過電圧保護とバッテリ監視
        6. 9.2.3.6 短絡電流スレッショルドの選択
          1. 9.2.3.6.1 短絡保護用のスケーリング抵抗 RSET と RISCP の選択
      4. 9.2.4 MOSFET の選択：ブロッキング MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET の選択：ホットスワップ MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS の選択
      7. 9.2.7 アプリケーション曲線
    3. 9.3 設計のベスト・プラクティス
    4. 9.4 電源に関する推奨事項
      1. 9.4.1 過渡保護
      2. 9.4.2 12V バッテリ・システム用の TVS の選択
      3. 9.4.3 24V バッテリ・システム用の TVS の選択
    5. 9.5 レイアウト
      1. 9.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.5.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 商標
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.2.5 MOSFET の選択：ホットスワップ MOSFET Q2

MOSFET Q2 の VDS 定格は、最大システム電圧と入力過渡電圧を処理するのに十分な値である必要があります。この 12V 設計では、過渡過電圧イベントが抑制された負荷ダンプ 35V 400ms、および 50μs の ISO 7637-2 パルス 2A 50V 中に発生します。さらに、ISO 7637-2 パルス 3B は 100V 100ns の非常に高速な反復パルスであり、通常は入力と出力のセラミック・コンデンサに吸収されます。12V バッテリの最大電圧は 40V 未満に制限でき、推奨される最小入力容量は 0.1μF です。50V SO 7637-2 パルス 2A は入力および出力コンデンサにも吸収され、入力および出力に十分な容量を配置することで、その振幅を 40V ピークに低減できます。ただし、この 12V 設計では、最大システム電圧は 50V で、60V VDS 定格の MOSFET が選択されています。

MOSFET Q2 の VGS 定格は、その最大 HGATE OUT 電圧 15V を上回っている必要があります。

12V バッテリへの入力ホット・プラグ時に MOSFET に流れる突入電流は、出力容量によって決まります。HGATE、CdVdT の外付けコンデンサを使用して、入力ホット・プラグ時またはスタートアップ時の突入電流を制限します。式 2 で決定される突入電流の値は、MOSFET Q2 がその安全動作領域 (SOA) 内で適切に動作するように選択する必要があります。

Q2 では、60V VDS と ±20V VGS 定格を持つ MOSFET BUK7Y4R8-60E が選択されています。突入電流時の消費電力は、MOSFET の安全動作領域 (SOA) 内に十分収まっています。