JAJSOX6 October   2023 LM74930-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1  Charge Pump
      2. 7.3.2  Dual Gate Control (DGATE, HGATE)
        1. 7.3.2.1 Load Disconnect Switch Control (HGATE, OUT)
        2. 7.3.2.2 Reverse Battery Protection (A, C, DGATE)
      3. 7.3.3  Overcurrent Protection (CS+, CS-, ILIM, IMON, TMR)
      4. 7.3.4  Overcurrent Protection with Circuit Breaker (ILIM, TMR)
      5. 7.3.5  Overcurrent Protection With Latch-Off
      6. 7.3.6  Short-Circuit Protection (ISCP)
        1. 7.3.6.1 Device Wake-Up With Output Short-Circuit Condition
      7. 7.3.7  Analog Current Monitor Output (IMON)
      8. 7.3.8  Overvoltage and Undervoltage Protection (OV, UVLO, OVCLAMP)
      9. 7.3.9  Disabling Reverse Current Blocking Functionality (MODE)
      10. 7.3.10 Device Functional Modes
        1. 7.3.10.1 Low Quiescent Current Shutdown Mode (EN)
  9. 8 Applications and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application: 200-V Unsuppressed Load Dump Protection Application
      1. 8.2.1 Design Requirements for 200-V Unsuppressed Load Dump Protection
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1  VS Capacitance, Resistor R1 and Zener Clamp (DZ)
        2. 8.2.2.2  Charge Pump Capacitance VCAP
        3. 8.2.2.3  Input and Output Capacitance
        4. 8.2.2.4  Overvoltage and Undervoltage Protection Component Selection
        5. 8.2.2.5  Selection of Scaling Resistor (RSET) and Short-Circuit Protection Setting Resistor (RSCP)
        6. 8.2.2.6  Overcurrent Limit (ILIM), Circuit Breaker Timer (TMR), and Current Monitoring Output (IMON) Selection
        7. 8.2.2.7  Selection of Current Sense Resistor, RSNS
        8. 8.2.2.8  Hold-Up Capacitance
        9. 8.2.2.9  MOSFET Q1 Selection
        10. 8.2.2.10 MOSFET Q2 Selection
        11. 8.2.2.11 Input TVS Selection
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Best Design Practices
    4. 8.4 Power Supply Recommendations
      1. 8.4.1 Transient Protection
      2. 8.4.2 TVS Selection for 12-V Battery Systems
      3. 8.4.3 TVS Selection for 24-V Battery Systems
    5. 8.5 Layout
      1. 8.5.1 Layout Guidelines
      2. 8.5.2 Layout Example
  10. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 Trademarks
    4. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 9.5 用語集
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

LM74930-Q1 理想ダイオード・コントローラは外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動および制御して、理想ダイオード整流器および過電流および過電圧保護を備えた電力パスの ON/OFF 制御をエミュレートします。入力電源電圧範囲が 4V～65V と広いため、12V および 24V 車載用バッテリ駆動 ECU を保護および制御できます。このデバイスは最低 –65V の負の電源電圧に耐え、この電圧から負荷を保護できます。内蔵のハイサイド・ゲート制御 (HGATE) により、電力パスの 1 番目の MOSFET が駆動されます。このデバイスを使用すると、HGATE 制御を使用した過電流、過電圧および低電圧イベントの場合に負荷を切断 (ON/OFF 制御) する一方、理想ダイオード・コントローラ (DGATE) が 2 番目の MOSFET を駆動して、出力から入力への逆電流をブロックすることで、入力逆極性保護および出力電圧ホールドアップ用のショットキー・ダイオードを置き換えます。このデバイスには電流センス・アンプが内蔵されており、サーキット・ブレーカ機能による可変過電流および短絡保護を実現します。このデバイスには、電源過渡から保護するための可変過電圧および低電圧保護機能があります。LM74930-Q1 には MODE ピンがあり、逆電流ブロック機能を選択的にイネーブルまたはディセーブルする場合に使用できます。

パッケージ情報
部品番号パッケージ (1)パッケージ・サイズ (2)
LM74930-Q1RGE (VQFN、24)4.0mm × 4.0mm
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
(2) パッケージ・サイズ (長さ × 幅) は公称値で、該当する場合はピンも含まれます。
GUID-20220725-SS0I-JTXK-N2LG-BWPNQ8N6PTKG-low.svg200V 負荷ダンプ保護機能を備えた理想ダイオード
GUID-20231030-SS0I-MVMC-PMP8-PZK7ZLSHKCWW-low.png抑制されていない負荷ダンプ 200V - 出力クランプ