(1)(2) を参照| 電源電圧 (V+) | -0.5 V～6.0 V |
| ピン 2 の電圧 | -0.3V～(V+ + 0.3 V) |
| 他のすべてのピンの電圧 | -0.5V～6.0V |
| ピンごとの入力電流 (3) | 5 mA |
| パッケージ入力電流 (3) | 30mA |
| パッケージ電力散逸 | (4) |
| 出力シンク電流 | 10mA |
| 保存温度 | -65℃～+150℃ |
| ESD 感受性 (5) | 人体モデル | 2000V |
| マシン モデル | 200V |
| ハンダ付け情報、リード温度 |
| VSSOP パッケージ (6) | 気相 (60 秒) | 215°C |
| 赤外線 (15 秒) | 220°C |
(1) 特に記述のない限り、すべての電圧は GND を基準に測定されます。
(2) 絶対最大定格は、それらを超えるとデバイスが破壊される可能性がある制限値を示します。動作定格はデバイスが機能する条件を示しますが、性能限界を保証するものではありません。保証された仕様および試験条件については「電気的特性」を参照してください。保証された仕様は、記載されているテスト条件にのみ適用されます。記載されているテスト条件で本デバイスを動作させないと、一部の性能特性が低下する可能性があります。
(3) いずれかのピンの入力電圧 (V
IN) が電源を上回った場合 (V
IN < GND または V
IN > V+)、そのピンの電流は 5mA に制限するものとします。LM95010 のピンの寄生部品および／または ESD 保護回路を下に示します。D3 の公称ブレークダウン電圧は 6.5V です。SNP は、スナップバック デバイスの略称です。
表 5-1 では、特定のピンに接続されたデバイスを「✓」でマークしています。
(4) 2 オンスのフォイルでプリント基板に接続したときの接合部から周囲への熱抵抗は 210°C/W です。
(5) 人体モデルでは、100pF が 1.5kΩ の抵抗を経由して放電しています。マシン モデルでは、200pF を各ピンに直接放電しています。ESD 保護の入力構造については、
図 5-1 を参照してください。