JAJSJB8B June   2011  – July 2020 SN74AVC4T234

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Electrical Characteristics
    6. 6.6  Switching Characteristics, VCCB = 1.1 V
    7. 6.7  Switching Characteristics, VCCB = 1.4 V
    8. 6.8  Switching Characteristics, VCCB = 1.65 V
    9. 6.9  Switching Characteristics, VCCB = 2.3 V
    10. 6.10 Switching Characteristics, VCCB = 3 V
    11. 6.11 Operating Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Load Circuit and Voltage Waveforms
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Fully Configurable Dual-Rail Design Allows Each Port to Operate Over the Full 0.9-V to 3.6-V Power-Supply Range
      2. 8.3.2 Supports High Speed Translation
      3. 8.3.3 Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 サポート・リソース
    2. 12.2 Trademarks
    3. 12.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 12.4 用語集
  13. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

12.3 静電気放電に関する注意事項

GUID-E1FAB4ED-71A6-4709-A050-639163E0B6D8-low.jpg この IC は、ESD によって破損する可能性があります。テキサス・インスツルメンツは、IC を取り扱う際には常に適切な注意を払うことを推奨します。正しい ESD 対策をとらないと、デバイスを破損するおそれがあります。
ESDによる破損は、わずかな性能低下からデバイスの完全な故障まで多岐にわたります。精密な IC の場合、パラメータがわずかに変化するだけで公表されている仕様から外れる可能性があるため、破損が発生しやすくなっています。