JAJSU11 March   2024 SN74LV3T99-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
    7. 5.7 Typical Characteristics
  7. 6 Parameter Measurement Information
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
  9. 8 Feature Description
    1. 8.1 Balanced CMOS 3-State Outputs
    2. 8.2 LVxT Enhanced Input Voltage
    3. 8.3 Clamp Diode Structure
  10. 9 Device Functional Modes
    1. 9.1 Logic Configurations
  11. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical Application
      1. 10.2.1 Design Requirements
        1. 10.2.1.1 Power Considerations
        2. 10.2.1.2 Input Considerations
        3. 10.2.1.3 Output Considerations
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 10.2.3 Application Curves
    3. 10.3 Power Supply Recommendations
    4. 10.4 Layout
      1. 10.4.1 Layout Guidelines
      2. 10.4.2 Layout Example
  12. 11Device and Documentation Support
    1. 11.1 Documentation Support
      1. 11.1.1 Related Documentation
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 Trademarks
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 用語集
  13. 12Revision History
  14. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 13.1 Tape and Reel Information
    2. 13.2 Mechanical Data

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • PW|20
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

11.5 静電気放電に関する注意事項

GUID-D6F43A01-4379-4BA1-8019-E75693455CED-low.gif この IC は、ESD によって破損する可能性があります。テキサス・インスツルメンツは、IC を取り扱う際には常に適切な注意を払うことを推奨します。正しい取り扱いおよび設置手順に従わない場合、デバイスを破損するおそれがあります。
ESD による破損は、わずかな性能低下からデバイスの完全な故障まで多岐にわたります。精密な IC の場合、パラメータがわずかに変化するだけで公表されている仕様から外れる可能性があるため、破損が発生しやすくなっています。