JAJSGD9E October   2018  – August 2020 UCC23513

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. ピン構成および機能
    1.     ピン機能
  6. 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  の絶縁仕様
    7. 6.7  安全関連認証
    8. 6.8  安全限界値
    9. 6.9  電気的特性
    10. 6.10 スイッチング特性
    11. 6.11 絶縁特性曲線
    12. 6.12 代表的な特性
  7. パラメータ測定情報
    1. 7.1 伝搬遅延、立ち上がり時間と立ち下がり時間
    2. 7.2 IOH と IOL のテスト
    3. 7.3 CMTI テスト
  8. 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 電源
      2. 8.3.2 入力段
      3. 8.3.3 出力段
      4. 8.3.4 保護機能
        1. 8.3.4.1 低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 8.3.4.2 アクティブ・プルダウン
        3. 8.3.4.3 短絡クランプ
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 ESD 構造
  9. アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 入力抵抗の選択
        2. 9.2.2.2 ゲート・ドライバの出力抵抗
        3. 9.2.2.3 ゲート・ドライバの電力損失の推定
        4. 9.2.2.4 接合部温度の推定
        5. 9.2.2.5 VCC コンデンサの選択
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
    3. 11.3 PCB 材料
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • DWY|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

アクティブ・プルダウン

アクティブ・プルダウン機能は、VCC 電源に電力が接続されていないときに IGBT または MOSFET ゲートを Low 状態にするために使用されます。この機能は、VOUT ピンを約 2V にクランプすることにより、IGBT と MOSFET が誤ってオンになるのを防止します。

ドライバの出力段にバイアスが印加されていない場合 (VCC はフロート状態)、ドライバ出力 (図 8-4 を参照) はその電圧上昇を制限するアクティブ・クランプ回路によって Low に保持されます 。この条件では、上の PMOS と NMOS はオフに保持され、下の NMOS ゲートは内部 500kΩ 抵抗を経由してドライバ出力に接続されます。この構成では、下の NMOS デバイスによって出力 (VOUT) が実質的に 2V 未満にクランプされます。