JAJSRP7H April   2009  – October 2023 INA199

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 製品比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 基本的な接続
      2. 7.3.2 RS の選択
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 入力フィルタリング
      2. 7.4.2 INA199 シリーズのシャットダウン
      3. 7.4.3 REF 入力インピーダンスの影響
      4. 7.4.4 同相過渡電圧が 26V を超える場合の INA199 の使用
      5. 7.4.5 過渡耐性の向上
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 単方向動作
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 8.2.2 双方向動作
        1. 8.2.2.1 設計要件
        2. 8.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.2.3 アプリケーション曲線
  10. 9 電源に関する推奨事項
  11. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 用語集
  13. 12Revision History
  14. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.4 熱に関する情報

熱評価基準 (1)INA199単位
DCK (SC70)RSW (UQFN)
6 ピン10 ピン
RθJA接合部から周囲への熱抵抗227.3107.3℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗79.556.5℃/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗72.118.7℃/W
ψJT接合部から上面への特性パラメータ3.61.1℃/W
ψJB接合部から基板への特性パラメータ70.418.7℃/W
RθJC(bot)接合部からケース (底面) への熱抵抗——℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。