JAJU681B January   2019  – October 2023

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   リソース
  4.   特長
  5.   アプリケーション
  6.   6
  7. 1システムの説明
    1. 1.1 主なシステム仕様
  8. 2システム概要
    1. 2.1 ブロック図
    2. 2.2 設計上の考慮事項
    3. 2.3 主な使用製品
      1. 2.3.1 MSPM0G1506
      2. 2.3.2 LMG2100R044
      3. 2.3.3 INA241
      4. 2.3.4 TPSM365
      5. 2.3.5 TMP303
      6. 2.3.6 OPT3004
    4. 2.4 システム設計理論
      1. 2.4.1 MPPT 動作
      2. 2.4.2 降圧コンバータ
        1. 2.4.2.1 出力インダクタンス
        2. 2.4.2.2 入力容量
      3. 2.4.3 電流センス・アンプ
        1. 2.4.3.1 シャント抵抗の選択
        2. 2.4.3.2 電流測定の分解能
        3. 2.4.3.3 シャント抵抗の電力散逸
      4. 2.4.4 スイッチング・レギュレータ
  9. 3ハードウェア、ソフトウェア、テスト要件、テスト結果
    1. 3.1 必要なハードウェアとソフトウェア
      1. 3.1.1 ハードウェア
        1. 3.1.1.1 TIDA-010042
        2. 3.1.1.2 ITECH-IT6724H
        3. 3.1.1.3 クロマ、63107A
      2. 3.1.2 ソフトウェア
    2. 3.2 テストと結果
      1. 3.2.1 テスト設定
      2. 3.2.2 テスト結果
  10. 4デザイン・ファイル
    1. 4.1 回路図
    2. 4.2 部品表 (BOM)
    3. 4.3 PCB レイアウトに関する推奨事項
      1. 4.3.1 ループ・インダクタンス
      2. 4.3.2 電流センス・アンプ
      3. 4.3.3 パターン幅
      4. 4.3.4 レイアウトのプリント
    4. 4.4 Altium プロジェクト
    5. 4.5 ガーバー・ファイル
    6. 4.6 アセンブリの図面
    7. 4.7 ソフトウェア・ファイル
  11. 5関連資料
    1. 5.1 商標
    2. 5.2 サポート・リソース
  12. 6著者について
  13. 7改訂履歴

2.3.3 INA241

GUID-20230111-SS0I-BNFX-96FR-PXR1PBNGVB8D-low.svg図 2-4 INA241のアプリケーション例

INA241 は、強化された PWM 除去機能を備えた 110V のゼロドリフト電流センス・アンプです。

  • 強化された PWM 除去
  • 非常に優れた CMRR：
    • 166dB の DC CMRR
    • 100kHz において 104dB の AC CMRR
  • 広い同相モード範囲：-5V ～ 110V
  • 精度：
    • ゲイン：
      • バージョン A：±0.01%、±1ppm/℃のドリフト (最大)
      • バージョン B：±0.1%、±5ppm/℃のドリフト (最大)
    • オフセット：
      • バージョン A：±10μV、±0.1μV/℃のドリフト (最大)
      • バージョン B：±150μV、±0.5μV/℃のドリフト (最大)
  • 利用可能なゲイン：
    • INA241A1、INA241B1：10V/V
    • INA241A2、INA241B2：20V/V
    • INA241A3、INA241B3：50V/V
    • INA241A4、INA241B4：100V/V
    • INA241A5、INA241B5：200V/V
  • 静止電流：3.2 mA (最大)

同相電圧が高い (110V) ため、精度を犠牲にすることなく各種のバッテリ・システムをサポートでき、負の同相電圧 (-5V) により、本デバイスはグランドより低い電位で動作してフライバックに対応できます。

INA241 デバイスには 10、20、50、100、200V/V の 5 つのプリセットされたゲイン値があり、最大ゲイン誤差は 0.1% です。最大システム電流 16A に対応しているため、この設計では A3 (50V/V ゲイン) の変動を使用して、電流の読み取り分解能を最大化し、シャント抵抗の電力損失を最小化します。