JAJY121B September   2021  – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   概要
  4.   静止電流 (IQ) に寄与する要素
  5.   低静止電流 (IQ) が新たな課題をもたらす理由
    1.     過渡応答
    2.     リップル
    3.     ノイズ
    4.     ダイ・サイズとソリューション面積
    5.     リーケージとスレッショルド未満領域での動作
  6.   低静止電流 (IQ) の障壁を打破する方法
    1.     過渡応答の課題への対処
    2.     スイッチング ノイズの問題への対処
    3.     他のノイズ問題への対処
    4.     ダイ サイズとソリューション面積の問題への対処
    5.     リーケージとスレッショルド未満領域での動作という問題への対処
  7.   電気的特性
    1.     18
    2.     低静止電流 (IQ) の設計におけるシステムの潜在的な落とし穴を回避
    3.     低消費電流 (IQ) の実現とフレキシビリティを両立
    4.     外付け部品点数を低減することで車載アプリケーションの IQ を低減
    5.     システム レベルで低静止電流 (IQ) をサポートする機能をスマート オンまたはスマート イネーブルにする
  8.   まとめ
  9.   低静止電流 (IQ) に関連する主な製品カテゴリ

リーケージとスレッショルド未満領域での動作という問題への対処

テキサス・インスツルメンツの電源プロセス テクノロジーは、低消費電力の設計に合わせて最適化済みの素子を利用します。高密度の抵抗とコンデンサを斬新な回路手法と組み合わせることで、静止電流 (IQ) とダイ サイズの両方の低減が可能になります。パワー FET とデジタル ロジックは低リーケージのトランジスタを提供すると同時に、速度についても最適化されています。したがって、ISHDN と面積の間で、排他的な (両立が難しい) 妥協を強いられることはありません。加えて、VGS-VT レベルが低い、スレッショルド未満領域での動作に関して高精度のモデル化を実施すると、図 18 のようになり、最小でピコアンペア/マイクロメートル (pA/μm) というバイアス水準まで、信頼性の高い動作を実現できるようになります。

GUID-20210902-SS0I-BL7Z-6PCK-84K8WT7S4NBS-low.gif図 18 シグマ IDS 不整合のパーセンテージと VGS - VT の対比