ほかに、静止電流 (I_Q) を小さくすると、より大きい受動部品または IC パッケージ・サイズを実装するためにボード面積が大きくなる場合があります。LDO と DC/DC コンバータの両方で、より静電容量の大きいコンデンサなど、より大きい外部受動部品を使用するのはナノパワー・デバイスに共通する傾向であり、通常は過渡特性の低下を補償する目的でこれらの素子を使用します。パッケージ面積が増大する直接的な要因は、ダイ面積の大型化です。

静止電流 (I_Q) が 1μA 未満のデバイスで、ダイを分解して目視検査したところ、抵抗とコンデンサが、FET (電界効果トランジスタ) 以外の内部ダイ面積の 20% 以上を占有していました。静止電流 (I_Q) と面積の問題については複数の解決策が存在していますが、市場で最善の解決策を選定するための簡潔な方法は、次のシンプルな FOM (性能指標) を適用することです。静止電流 (I_Q) x 最小パッケージ面積。関連情報をデータシートで参照すると、この FOM を求めることができます。供給されている最小パッケージに注目すると、ダイ面積の縮小に関する手掛かりが得られます。

静止電流 (I_Q) が最小で、使用可能な中で最小のパッケージを採用しているデバイスを選定すると、通常は静止電流 (I_Q) x 面積の良好な効率を達成できます。