TI의 고급 전력계 장치를 활용하여 솔루션 크기를 최소화하고, 전력 밀도를 극대화하고, 효율성을 최적화하며, 시스템 보호를 강화하세요. 간소화된 다중 위상 DC/DC 시스템 솔루션을 위한 확장 가능한 다중 위상 컨트롤러와 고정밀 원격 측정을 지원하는 스마트 전력계를 통합합니다. 이 통합은 작은 설치 공간 내에서 중복 구성 요소를 제거하고, 스위칭 손실을 줄이고, 전체적인 시스템 안정성을 높입니다. 또한 게이트 드라이버 및 GaN 전원 장치가 통합된 질화 갈륨(GaN) FET 제품군은 수명 안정성과 비용 이점이 있는 가장 효율적인 GaN 솔루션을 제공합니다.
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신제품
TI의 GaN 및 Si MOSFET 전력계로 시스템 효율성을 높이고 설계를 간소화
안정성을 위해 설계
GaN 디바이스는 독점 기술 기반 GaN-on-Si 프로세스와 4천만 시간이 넘는 신뢰성 테스트, 보호 기능을 바탕으로 고전압 시스템을 안전하게 보호할 수 있도록 설계되어 있습니다.
고집적
통합 MOSFET, 드라이버 및 전류 감지는 수동 부품을 제거하는 완전한 스위칭 기능을 제공하여 솔루션 크기를 줄이고 인쇄 회로 보드 레이아웃을 간소화합니다.
더 작은 자기 부품, 더 높은 전력 밀도
빠른 스위칭 속도가 지원되는 GaN 디바이스를 사용하면 500kHz 이상의 스위칭 주파수를 달성할 수 있어 자기 부품 크기를 최대 60% 줄일 수 있고, 성능 향상과 시스템 비용 절감을 실현할 수 있습니다.
기술 리소스
Application note
Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
열 관리로 고전력 설계의 성패가 결정될 수 있습니다. TI의 QFN 12mm x 12mm 패키지는 애플리케이션에서 탁월한 성능을 제공하도록 설계되었습니다. 패키지에 대해 자세히 알아보고 열 설계를 최적화하는 방법에 대한 팁을 읽어보세요.
Application note
Power loss calculation with CSI consideration for synchronous buck converters (Rev. A)
동기 벅 컨버터는 저전압, 고전류 애플리케이션에 널리 사용되는 토폴로지입니다. 미래의 고급 마이크로프로세서에 대해 전력 손실이 낮고 효율성이 높은 동기식 벅 컨버터의 수요가 아주 많습니다.
White paper
Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
TI의 dMode GaN 디바이스 제품군은 캐스코드 없이 정상적으로 작동합니다. 직접 드라이브 및 그 이점에 대해 자세히 알아보십시오.