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신제품
광대역 갭 기술
모든 토폴로지에 사용할 수 있도록 높은 전원 밀도와 설계 간소화를 제공하는 고속 GaN 게이트 드라이버
TI의 드라이버의 빠른 타이밍 사양, 리드 없는 패키지 및 좁은 펄스 폭 응답을 조합하여 FET를 빠르게 전환할 수 있습니다. 게이트 전압 조정, 프로그래머블 데드 타임, 낮은 내부 전력 소모와 같은 추가 기능을 통해 고주파 스위칭이 가능한 가장 높은 효율을 얻을 수 있습니다.
GaN and SiC technologies enable increased efficiency in power supplies
An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. B)
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
에너지 효율적이고 견고하고 컴팩트한 시스템 설계를 위한 실리콘 카바이드(SiC) 게이트 드라이버
TI에서 제공하는 SiC 및 IGBT 게이트 드라이버의 강력한 구동 전류, 높은 CMTI 및 짧은 전파 지연 시간으로 설계 효율성 향상. TI의 SiC 게이트 드라이버를 사용하면 빠르게 통합된 단락 보호 및 높은 서지 내성을 통해 시스템의 견고한 절연을 달성할 수 있습니다. TI의 빠르고 견고하고 안정적인 드라이버를 통해 더 높은 PWM 주파수에서 SiC를 전환하여 시스템 크기와 무게를 줄이고 비용 절감.
Silicon carbide gate drivers -- a disruptive technology in power electronics (Rev. A)
Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. C)
기술 리소스
Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)
게이트 드라이버 FAQ(자주 묻는 질문)
Impact of an isolated gate driver (Rev. A)
설계 및 개발 자료
Power stage reference design for <100-VIN DC/DC converters
Three-phase inverter reference design for 200-480 VAC drives with opto-emulated input gate drivers
480W, <17 mm, Thin Profile, 94% Efficiency, Fast Transient Response AC/DC SMPS Reference Design
The TIDA-01495 is a low profile (17 mm height), 94.1% peak efficiency, high power density, universal input, 24-V DC, 480-W output, consumer AC/DC power supply reference design. The circuit consists of a front-end two phase interleaved transition mode (TM) power factor correction (PFC) based on the (...)