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신제품
IGBT/SiC용 EN 및 DT 핀이 있는 오토모티브, 4A, 6A 5.7kVRMS 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버
역전류 방지를 갖춘 차량용 30V, 5A/5A 듀얼 채널 게이트 드라이버
고급 보호 기능을 지원하는 오토모티브 30A 절연 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 게이트 드라이버
5V DESAT를 사용하는 SiC/IGBT용 오토모티브 10A, 5.7kVrms RMS 싱글 채널 절연 게이트 드라이버
SiC/IGBT, 활성 단락 보호용 오토모티브, 10A 절연 싱글 채널 게이트 드라이버
광대역 갭 기술
모든 토폴로지에 사용할 수 있도록 높은 전원 밀도와 설계 간소화를 제공하는 고속 GaN 게이트 드라이버
TI의 드라이버의 빠른 타이밍 사양, 리드 없는 패키지 및 좁은 펄스 폭 응답을 조합하여 FET를 빠르게 전환할 수 있습니다. 게이트 전압 조정, 프로그래머블 데드 타임, 낮은 내부 전력 소모와 같은 추가 기능을 통해 고주파 스위칭이 가능한 가장 높은 효율을 얻을 수 있습니다.
GaN and SiC technologies enable increased efficiency in power supplies
An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. A)
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
에너지 효율적이고 견고하고 컴팩트한 시스템 설계를 위한 실리콘 카바이드(SiC) 게이트 드라이버
TI에서 제공하는 SiC 및 IGBT 게이트 드라이버의 강력한 구동 전류, 높은 CMTI 및 짧은 전파 지연 시간으로 설계 효율성 향상. TI의 SiC 게이트 드라이버를 사용하면 빠르게 통합된 단락 보호 및 높은 서지 내성을 통해 시스템의 견고한 절연을 달성할 수 있습니다. TI의 빠르고 견고하고 안정적인 드라이버를 통해 더 높은 PWM 주파수에서 SiC를 전환하여 시스템 크기와 무게를 줄이고 비용 절감.