게이트 드라이버

모든 애플리케이션의 모든 전력 수준에서 모든 전원 스위치를 효율적이고 안정적으로 구동합니다.

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IGBT, GaNFET및 SiCFET를 지원하는 절연 하프 브리지와 저압측 게이트 드라이버의포괄적인 포트폴리오 중에 선택하여 설계를 최적화합니다. TI의 게이트 드라이버 솔루션, 리소스 및 전문 기술을 통해 효율적이고 안정적이며 전력 밀도가 높은 시스템을 보다 쉽게 설계할 수 있습니다.

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관련 카테고리
모터 드라이버

TI의 모터 드라이버 솔루션은 설계를 간소화하고, 보드 공간을 줄이고, 시스템 비용을 절감합니다. 

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UCC21551-Q1 신규

IGBT/SiC용 EN 및 DT 핀이 있는 오토모티브, 4A, 6A 5.7kVRMS 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버

Approx. price (USD) 1ku | 2.11
UCC27624-Q1 신규

역전류 방지를 갖춘 차량용 30V, 5A/5A 듀얼 채널 게이트 드라이버

Approx. price (USD) 1ku | 0.437
UCC27284 신규

5V UVLO 및 활성화를 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버

Approx. price (USD) 1ku | 0.695
UCC5871-Q1 신규

고급 보호 기능을 지원하는 오토모티브 30A 절연 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 게이트 드라이버

Approx. price (USD) 1ku | 4.98
UCC21755-Q1 신규

5V DESAT를 사용하는 SiC/IGBT용 오토모티브 10A, 5.7kVrms RMS 싱글 채널 절연 게이트 드라이버

Approx. price (USD) 1ku | 2.86
UCC21737-Q1 신규

SiC/IGBT, 활성 단락 보호용 오토모티브, 10A 절연 싱글 채널 게이트 드라이버

Approx. price (USD) 1ku | 2.443

광대역 갭 기술

모든 토폴로지에 사용할 수 있도록 높은 전원 밀도와 설계 간소화를 제공하는 고속 GaN 게이트 드라이버

TI의 드라이버의 빠른 타이밍 사양, 리드 없는 패키지 및 좁은 펄스 폭 응답을 조합하여 FET를 빠르게 전환할 수 있습니다. 게이트 전압 조정, 프로그래머블 데드 타임, 낮은 내부 전력 소모와 같은 추가 기능을 통해 고주파 스위칭이 가능한 가장 높은 효율을 얻을 수 있습니다.

White paper
GaN and SiC technologies enable increased efficiency in power supplies
이 문서에서는 TI의 고전압 포트폴리오와 결합된 광대역의 갭 물질이 전원 공급 장치에 어떤 도움이 되는지 개괄적으로 살펴봅니다.
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White paper
An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. A)
이 백서에서는 자율 주행 시스템을 위한 오토모티브 조명 감지 및 범위(LIDAR), 솔루션을 소개합니다.
PDF
White paper
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
GaN의 모든 잠재력을 실현하는 데 게이트 드라이버를 선택하는 것이 중요한 이유를 알아보세요.
PDF

에너지 효율적이고 견고하고 컴팩트한 시스템 설계를 위한 실리콘 카바이드(SiC) 게이트 드라이버

TI에서 제공하는 SiC 및 IGBT 게이트 드라이버의 강력한 구동 전류, 높은 CMTI 및 짧은 전파 지연 시간으로 설계 효율성 향상. TI의 SiC 게이트 드라이버를 사용하면 빠르게 통합된 단락 보호 및 높은 서지 내성을 통해 시스템의 견고한 절연을 달성할 수 있습니다. TI의 빠르고 견고하고 안정적인 드라이버를 통해 더 높은 PWM 주파수에서 SiC를 전환하여 시스템 크기와 무게를 줄이고 비용 절감.

E-book
IGBT & SiC Gate Driver Fundamentals
가장 자주 묻는 IGBT 및 SiC 게이트 드라이버 관련 질문에 대한 솔루션을 찾아보세요. 
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White paper
Silicon carbide gate drivers -- a disruptive technology in power electronics (Rev. A)
적절한 에코시스템(이 예에서는 게이트 드라이버)이 없으면 SiC의 잠재적을 최대로 실현할 수 없습니다. 무중단 기술에 대해 읽어보고 파워 일렉트로닉스에 어떤 영향을 미치는지 알아보세요.
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Application note
Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. B)
SiC MOSFET의 다양한 단락 회로 보호 방법을 알아보고 서로 비교해 보세요.
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기술 리소스

More literature
More literature
Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)
이 애플리케이션 노트는 고속 스위칭 애플리케이션용 고성능 게이트 드라이브 회로를 설계하기 위한 체계적인 접근법을 보여줍니다.
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리소스
리소스
게이트 드라이버 FAQ(자주 묻는 질문)
이 FAQ 페이지에서는 일반적인 게이트 드라이버 질문 및 설계 과제에 대한 솔루션을 체계적으로 살펴봅니다.
White paper
White paper
Impact of an isolated gate driver (Rev. A)
이 백서는 전원 스위치의 기능으로서 절연 게이트 드라이버의 장점과 요구 사항에 대해 설명합니다.
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게이트 드라이버 관련 레퍼런스 디자인

레퍼런스 설계 선택 툴을 사용하여 애플리케이션 및 매개 변수에 가장 적합한 설계를 찾을 수 있습니다.