CSD88584Q5DC 40V 半桥 NexFET 电源块 | 德州仪器 TI.com.cn

CSD88584Q5DC (正在供货)

40V 半桥 NexFET 电源块

40V 半桥 NexFET 电源块 - CSD88584Q5DC
数据表
CSD88584Q5DC 40V 半桥 NexFET电源块 数据表 (Rev. C)
 

描述

CSD88584Q5DC 40V 电源块是用于高电流电机控制应用的优化设计，这些 应用包括手持无线园艺和电动工具等。该器件利用 TI 获得专利的堆叠裸片技术，以最大限度地减小寄生电感，同时在节省空间的热增强型 DualCool™5mm × 6mm 封装中提供完整的半桥。利用外露的金属顶部，该电源块器件允许简单散热应用将热量从封装顶部吸收并将其从 PCB 带走，从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下，实现出色的热 性能。


特性

  • 半桥电源块
  • 高密度 5mm × 6mm SON 封装
  • 低 RDS(ON)，可实现最小的传导损耗
    • 电流为 35A 时，PLoss 为 2.4W
  • DualCool™热增强型封装
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层

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参数 与其它产品相比 电源块

 
VGS (V)
VDS (V)
Power loss (W)
Ploss current (A)
ID, continuous drain current at Ta=25degC (A)
Package size: mm2:W x L (PKG)
Operating temperature range (C)
Features
Duty cycle (Typ) (%)
CSD88584Q5DC CSD88599Q5DC
20     20    
40     60    
2.4     3.0    
35     30    
50     40    
22VSON-CLIP: 30 mm2: 5 x 6 (VSON-CLIP | 22)     22VSON-CLIP: 30 mm2: 5 x 6 (VSON-CLIP | 22)    
-55 to 150     -55 to 150    
Motor control     Motor control    
40     40