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Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
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LMG3612

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FET de GaN de 650 V y 120 mΩ con controlador y protección integrados

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LMG3612

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Detalles del producto

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650-V 120-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 55 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad
  • 650-V 120-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 55 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad

The LMG3612 is a 650-V 120-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3612 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.

The LMG3612 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

The LMG3612 is a 650-V 120-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3612 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.

The LMG3612 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet LMG3612650-V120-mΩ GaN FET With Integrated Driver datasheet PDF | HTML 14 nov 2023
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 30 ene 2024
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 28 nov 2023

Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

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Herramienta de cálculo

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

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Productos y hardware compatibles

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Productos
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
LMG3612 — FET de GaN de 650 V y 120 mΩ con controlador y protección integrados LMG3616 — FET de GaN de 650 V y 270 mΩ con controlador y protección integrados LMG3622 — FET de GaN de 650 V y 120 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrados LMG3624 — Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de 650 V y 170 mΩ con controlador, protección y detección LMG3626 — FET de GaN de 650 V y 270 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrados
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Paquete Pasadores Descargar
VQFN (REQ) 38 Ver opciones
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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

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